[發(fā)明專利]多層陶瓷電容器及安裝有多層陶瓷電容器的電路板的安裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310067413.7
• 申請(qǐng)日: 2013-03-04
• 公開（公告）號(hào): CN103854851B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 安永圭;樸興吉;金斗永;樸祥秀;樸珉哲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01G2/06
• 分類號(hào): H01G2/06;H01G4/002;H01G4/12;H01G4/30;H01G4/40;H05K1/18
• 代理公司: 北京潤(rùn)平知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11283
• 代理人: 南毅寧,陳瀟瀟

1.一種多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器包括：

陶瓷主體，該陶瓷主體具有被層疊在該陶瓷主體中的多個(gè)介電層；

有源層，該有源層包括多個(gè)第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極，其中該多個(gè)第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極通過所述陶瓷主體的兩個(gè)端表面交替地暴露，并且在所述第一內(nèi)部電極與所述第二內(nèi)部電極之間有所述介電層被插入，從而形成電容；

上覆蓋層和下覆蓋層，該上覆蓋層和下覆蓋層分別形成于所述有源層的上方和下方；

第一外部電極和第二外部電極，該第一外部電極和第二外部電極覆蓋所述陶瓷主體的兩個(gè)端表面；

多個(gè)第一虛擬電極和第二虛擬電極，該多個(gè)第一虛擬電極和第二虛擬電極在所述有源層內(nèi)部分別在長(zhǎng)度方向上從所述第一外部電極和所述第二外部電極向內(nèi)部延展從而對(duì)立于所述第一內(nèi)部電極和所述第二內(nèi)部電極；以及

多個(gè)壓電元件，該多個(gè)壓電元件在所述有源層內(nèi)部將所述第一內(nèi)部電極與所述第一虛擬電極或者所述第二內(nèi)部電極與所述第二虛擬電極分別連接，該壓電元件具有比所述介電層更高的介電常數(shù)，

其中所述下覆蓋層比所述上覆蓋層厚，以及

其中，當(dāng)所述陶瓷主體的總厚度的1/2被指定為A、所述下覆蓋層的厚度被指定為B、所述有源層的總厚度的1/2被指定為C以及所述上覆蓋層的厚度被指定為D時(shí)，所述有源層的中心偏離所述陶瓷主體的中心的偏離比值(B+C)/A滿足1.064≤(B+C)/A≤1.745。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中在所述第一內(nèi)部電極與所述第一虛擬電極之間以及所述第二內(nèi)部電極與所述第二虛擬電極之間都形成有所述壓電元件。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中比值D/B滿足0.021≤D/B≤0.421。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中比值B/A滿足0.220≤B/A≤1.522。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中比值C/B滿足0.147≤C/B≤3.843。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中所述下覆蓋層包括虛擬圖樣，該虛擬圖樣包括分別在長(zhǎng)度方向上從所述第一外部電極和所述第二外部電極向內(nèi)延展從而彼此對(duì)立的第一虛擬圖樣和第二虛擬圖樣。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中所述第一虛擬圖樣和所述第二虛擬圖樣具有相同的長(zhǎng)度。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，該多層陶瓷電容器還包括在所述下覆蓋層內(nèi)部將所述第一虛擬圖樣和所述第二虛擬圖樣彼此連接的壓電元件，該壓電元件具有比所述下覆蓋層的所述介電層更高的介電常數(shù)。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器，其中所述下覆蓋層是由具有比所述陶瓷主體的所述介電層更高的介電常數(shù)的材料形成的。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層陶瓷電容器，其中，當(dāng)電壓被施加時(shí)，由于發(fā)生在所述有源層中心的變形率與發(fā)生在所述下覆蓋層的變形率的不同，形成于所述陶瓷主體的兩個(gè)端表面中的變曲點(diǎn)在對(duì)應(yīng)于或低于所述陶瓷主體的厚度中心的高度處形成。