[發明專利]具有共摻雜薄膜的砷化鎵基激光二極管無效
| 申請號： | 201310067262.5 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN103151709A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 錢時昌 | 申請（專利權）人： | 溧陽華晶電子材料有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/327 | 分類號： | H01S5/327 |
| 代理公司： | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人： | 蔣家華 |
| 地址： | 213300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 摻雜 薄膜 砷化鎵基 激光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種采用氮鎂共摻雜p型氧化鋅薄膜的激光二極管，該激光二極管的結構為：
n型氧化鎳薄膜，其形成在砷化鎵襯底的上表面上；氮鎂共摻雜p型氧化鋅薄膜，其形成在所述n型氧化鎳薄膜的上表面上，以及底電極，其形成在所述n型氧化鎳薄膜下表面上，頂電極，其形成在所述氮鎂共摻雜p型氧化鋅薄膜的上表面上。
2.如權利要求1所述的激光二極管，其特征在于：
其中，所述氮鎂共摻雜p型氧化鋅薄膜的厚度約為300-400nm，該氮鎂共摻雜p型氧化鋅薄膜中Mg的摩爾百分含量是5-11％，砷的摩爾百分含量是0.8-1.7％；所述n型氧化鎳薄膜的厚度為約300-600nm。
3.如權利要求1或2所述的激光二極管，其特征在于：
其中，在常溫下，氮鎂共摻雜的p型ZnO晶體薄膜的壓電常數d33大于16pC/N，其電阻率大于2×1010Ω·cm。
4.如權利要求1-3任意之一所述的激光二極管，其特征在于：
可以采用多種金屬材料來構成底電極和頂電極的材料，例如金、銀或銅，也可以采用金屬化合物材料來構成所述底電極和頂電極，例如ITO。
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