[發(fā)明專利]間隙壁去除方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310066832.9 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN104022030B | 公開（公告）日： | 2017-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓秋華;張翼英 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 間隙 去除 方法 | ||
1.一種間隙壁去除方法，其特征在于，用于防止磷酸溶液損傷淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)與鍺硅層界面處的鍺硅層，所述間隙壁去除方法包括：
提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)側(cè)壁的間隙壁，所述半導(dǎo)體襯底中形成有淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)以及鍺硅層；
在所述鍺硅層上形成金屬硅化物層；
在所述半導(dǎo)體襯底上形成DUO材料層并進行回刻蝕形成刻蝕阻擋層，所述刻蝕阻擋層覆蓋所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)和金屬硅化物層；
利用磷酸溶液去除所述間隙壁；
去除所述刻蝕阻擋層。
2.如權(quán)利要求1所述的間隙壁去除方法，其特征在于，采用旋涂工藝形成所述DUO材料層。
3.如權(quán)利要求2所述的間隙壁去除方法，其特征在于，采用旋涂工藝形成所述DUO材料層后，對所述DUO材料層進行烘烤。
4.如權(quán)利要求1所述的間隙壁去除方法，其特征在于，所述DUO材料層的厚度為
5.如權(quán)利要求1所述的間隙壁去除方法，其特征在于，采用濕法的方式進行回刻蝕形成刻蝕阻擋層。
6.如權(quán)利要求5所述的間隙壁去除方法，其特征在于，采用CLK888溶液回刻蝕形成刻蝕阻擋層。
7.如權(quán)利要求1所述的間隙壁去除方法，其特征在于，所述刻蝕阻擋層的厚度為3～20nm。
8.如權(quán)利要求1所述的間隙壁去除方法，其特征在于，采用濕法的方式去除所述刻蝕阻擋層。
9.如權(quán)利要求8所述的間隙壁去除方法，其特征在于，采用CLK888溶液去除所述刻蝕阻擋層。
10.如權(quán)利要求1所述的間隙壁去除方法，其特征在于，所述金屬硅化物層是NiSi或TiSi。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
