[發明專利]晶圓背面對準的方法在審
| 申請號： | 201310066825.9 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN104022060A | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發明（設計）人： | 楊曉松;鄒永祥 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 背面 對準 方法 | ||
1.一種晶圓背面對準的方法，其特征在于，包括：
在第一晶圓的第一表面上形成第一層器件，并反轉所述第一晶圓使之結合于第二晶圓上，所述第一晶圓的第一表面上形成有第一對準標記；
將所述第一晶圓從第二表面削薄至第一厚度，并刻蝕所述第一對準標記所在區域，使得所述第一對準標記顯現；
采用包括第二對準標記的光罩進行光刻；
其中，所述第一對準標記和第二對準標記呈鏡像對稱。
2.如權利要求1所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，采用CMP工藝將所述第一晶圓從第二表面削薄至第一厚度。
3.如權利要求2所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，所述第一厚度小于等于30μm。
4.如權利要求1所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝從第二表面刻蝕所述第一對準標記所在區域。
5.如權利要求4所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，所述刻蝕的區域的面積大于所述第一對準標記的面積。
6.如權利要求1所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，所述第一對準標記由四組光柵組成，其中兩組光柵用于橫向對準，另外兩組光柵用于縱向對準。
7.如權利要求6所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，所述用于橫向對準和縱向對準的光柵間隔排列呈田字形。
8.如權利要求6所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，所述四組光柵中至少具有兩種不同的節距。
9.如權利要求8所述的晶圓背面對準的方法，其特征在于，所述節距為2～6μm。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
