[發(fā)明專利]多晶硅柵極的形成方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310066824.4
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN104022026A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張翼英
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

1.一種多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上具有自下至上依次層疊的多晶硅層和掩模層；

選擇性去除所述掩模層，以形成掩模圖形；

在所述掩模圖形的側(cè)壁上制備側(cè)墻；

對所述多晶硅層進(jìn)行干法刻蝕，以形成多晶硅柵極，刻蝕氣體對所述多晶硅柵極的側(cè)壁的刻蝕速率大于所述側(cè)壁上有機(jī)物的沉積速率；以及

去除所述側(cè)墻。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，在所述掩模圖形的側(cè)壁上制備側(cè)墻的步驟包括：

在所述掩模圖形和所述多晶硅層上制備一犧牲層；

刻蝕所述犧牲層，并保留所述掩模圖形的側(cè)壁上的所述犧牲層，以形成所述側(cè)墻。

3.如權(quán)利要求2所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積的方法，在所述掩模圖形和所述多晶硅層上制備一犧牲層。

4.如權(quán)利要求1或2或3所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底和所述多晶硅層之間還包括一刻蝕停止層。

5.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕的氣體包括氯氣和氧氣，其中，氯氣的流量速率范圍為60sccm～150sccm，氧氣的流量速率范圍為5sccm～20sccm。

6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為二氧化硅、氮化硅、無定形碳、有機(jī)物或金屬中的一種或幾種的組合。

7.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，采用濕法刻蝕或干法刻蝕去除所述側(cè)墻。

8.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述掩模層為單層掩膜層或多層掩膜層。

9.如權(quán)利要求8所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述多層掩膜層為自下至上依次層疊的氮化物掩模層和氧化物掩模層。

10.如權(quán)利要求1所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層為磷摻雜多晶硅層。

11.如權(quán)利要求10所述的多晶硅柵極的形成方法，其特征在于，所述多晶硅層中磷的摻雜濃度為1E19/cm³～1E20/cm³。