[發明專利]一種磁傳感器件的制造方法

無效

• 申請號: 201310066768.4
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103199192A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 張俊;叢國芳
• 申請（專利權）人: 溧陽市生產力促進中心
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;G01R33/09
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種磁傳感器件的制備方法，其特征在于，該方法包括如下步驟：

1)用光刻和掩膜的方法在基片上形成為了沉積薄膜的“十”字形圖案。圖案中心正方形的邊長在0.3～1.0微米，中心正方形的四個邊上突出部分的長度為0.2微米；

2)采用通用的超高真空磁控濺射鍍膜機，在背底真空度小于5.0×10^-5Pa時，將高純度的Ar氣和O₂氣的混合氣體通入真空室，其中Ar氣流量為10sccm，O₂氣流量為2.7sccm；

3)待真空度下降為1.0Pa以下，將超高真空閘板閥的開啟度設定為20％；在鐵靶上加以設定為475W的直流功率，在鉑靶上加以設定為50W的直流功率，預濺射5分鐘；

4)打開鐵靶、鉑靶和基片的擋板，基片以20轉/分鐘的速度勻速旋轉，控制濺射時間在0.5～20分鐘成膜；

5)通過磁力轉軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用光刻和掩膜的方法在基片上正方形Fe_2.95La_0.05O₃薄膜的四個邊的外側形成為了沉積四個電極的矩形圖案。每個電極圖案分別與正方形Fe_2.95La_0.05O₃薄膜的四個邊有0.15微米的重疊部分。將樣品送入真空室，連續制備50納米厚的鈦層和500納米厚的金層形成電極，鈦靶和金靶均采用直流濺射；

6)通過磁力轉軸將樣品送到副真空室，取出樣品，除去光刻膠；用光刻和掩膜的方法在基片上正方形Fe_2.95La_0.05O₃薄膜的上方形成為了沉積保護層的正方形圖案，正方形的邊長在0.5～1.2微米，將Fe_2.95La_0.05O₃薄膜完全覆蓋。將樣品送入真空室制備二氧化硅保護層。二氧化硅靶采用射頻濺射，設定濺射功率為200W，濺射時間為10分鐘。