[發明專利]一種高深寬比微柱陣列的電場誘導壓印方法有效
| 申請號: | 201310066561.7 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN103159164A | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發明(設計)人: | 丁玉成;邵金友;胡鴻;田洪淼;李祥明;姜承寶 | 申請(專利權)人: | 西安交通大學 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;G03F7/00 |
| 代理公司: | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人: | 賀建斌 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高深 陣列 電場 誘導 壓印 方法 | ||
1.一種高深寬比微柱陣列的電場誘導壓印方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)壓印模具的制備及處理:在晶圓表面利用光刻和刻蝕工藝加工出所需的圓孔陣列圖形結構,并對其進行低表面能處理,即在壓印模具正面制作一層厚度為20-100nm的抗粘層C4F8;
2)基材、電極和聚合物材料的選擇:基材和電極都需要采用導電平板,即ITO導電玻璃或高參雜導電硅片,聚合物材料采用熱塑性聚合物PMMA;
3)壓印及脫模:利用勻膠機在基材上旋涂一層熱塑性聚合物PMMA,其厚度為10um-50um,以10Mpa的壓力P將低表面能處理后的壓印模具壓在基材上,使壓印模具與基材緊密結合,并保證環境溫度在熱塑性聚合物PMMA的玻璃態轉換溫度以上,10-30分鐘后,冷卻至室溫,脫模,在基材上留下聚合物柱狀陣列,聚合物柱狀陣列的深寬比小于5;
4)施加外電場:利用另一塊ITO導電玻璃或高參雜導電硅片作為上電極,與基材組合形成一對平板電極,兩平板電極之間有一層空氣間隙,空氣間隙是柱狀陣列高度的2-4倍,采用直流電源,電壓調節范圍在300-500V,正極連上電極,負極連基材,對形成的PMMA微柱陣列施加外電場;
5)電場誘導再成型:再將環境溫度升至PMMA玻璃態轉化溫度以上,150-200℃,調節電壓大小,使電場力大于PMMA表面張力,持續2-10小時,直至成型過程結束;
6)聚合物的固化:在保持施加電壓不變的情況下,將環境溫度降低到室溫,PMMA固化,最終得到深寬比達到20—30的高深寬比微柱陣列。
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