[發明專利]一種基于量子點的復合紫外增強薄膜及其制備方法無效
| 申請號： | 201310066538.8 | 申請日： | 2013-03-04 |
| 公開（公告）號： | CN103151450A | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 姜霖;陶春先;張大偉;王琦;黃元申;倪爭技;莊松林 | 申請（專利權）人： | 上海理工大學 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吳寶根 |
| 地址： | 200093 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 量子 復合 紫外 增強 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種基于量子點的復合紫外增強薄膜，為層狀結構，包括石英基片、量子點薄膜層，其特征在于還包括由聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜層和聚4-丁基三苯胺薄膜層；
所述的一種基于量子點的復合紫外增強薄膜自下而上依次為底層石英基片、聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜層、聚4-丁基三苯胺薄膜層和最上層的量子點薄膜層；
所述的量子點薄膜層即為CdSe/ZnS核殼結構量子點薄膜層；
所述的聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜層、聚4-丁基三苯胺薄膜層及量子點薄膜層通過旋涂法鍍膜或提拉法鍍膜而成。
2.如權利要求1所述的一種基于量子點的復合紫外增強薄膜，其特征在于所述的CdSe/ZnS核殼結構量子點的粒徑為5nm。
3.如權利要求1或2所述的一種基于量子點的復合紫外增強薄膜的制備方法，其特征在于具體包括如下步驟：
（1）、將石英基片依次經過去離子水、丙醇、乙醇、乙丙醇清洗，再經過超聲清洗干凈；
（2）、將聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸溶液通過旋轉法鍍膜或提拉法鍍膜到步驟（1）清洗后的石英基片上，鍍膜后放入烘箱中烘烤，溫度為150℃，時間為30min后形成聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜層；
所述的聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸溶液是固含量為1%的聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸溶液；
（3）、再將聚4-丁基三苯胺溶液通過旋轉鍍法膜或提拉法鍍膜到聚3,4-亞乙二氧基噻吩/聚苯乙烯磺酸薄膜層上，鍍膜后放入烘箱中烘烤，溫度為120℃，時間為30min后形成聚4-丁基三苯胺薄膜層;
??所述的聚4-丁基三苯胺溶液是將聚4-丁基三苯胺溶于氯苯試劑中形成，具體配比為10mg的聚4-丁基三苯胺是溶于氯苯1ml試劑中；
（4）、再將量子點溶液通過旋轉法鍍膜或提拉法鍍膜到聚4-丁基三苯胺薄膜層上，鍍膜后放入烘箱中烘烤，烘烤80℃，20min后形成量子點薄膜層，最終得到基于量子點的復合紫外增強薄膜；
所述的量子點溶液即將CdSe/ZnS核殼結構量子點溶于甲苯溶劑中形成，具體配比為5mg的CdSe/ZnS核殼結構量子點溶于1ml甲苯。
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