[發(fā)明專利]一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310066401.2 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN103109857A | 公開（公告）日： | 2013-05-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 邵鵬飛 | 申請（專利權）人： | 邵鵬飛 |
| 主分類號： | A01N59/00 | 分類號： | A01N59/00;A01P1/00;A01P3/00 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 腐蝕性 氧化 電位 殺菌 及其 制備 方法 | ||
1.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）提供含有有效氯或者可以產生有效氯的有效氯提供單元；
（2）提供pH值調節(jié)單元；
（3）將所述pH值調節(jié)單元與所述有效氯提供單元混合，得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根離子的含量不高于1.2mol/L。
2.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5.0-7.0間，其氧化還原電位為700-1100mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其甲磺酸根離子的含量為10-10-0.1mol/L。
3.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（1）中還包括：對所述有效氯提供單元進行降低甲磺酸根離子的含量的預處理。
4.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（2）中還包括：對所述pH值調節(jié)單元進行降低甲磺酸根離子的含量的預處理。
5.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，在步驟（3）中還包括：對所述pH值調節(jié)單元與所述有效氯提供單元混合后的混合液進行降低甲磺酸根離子的含量的后處理。
6.如權利要求3或4或5所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述降低甲磺酸根離子的含量的處理方法可選自加入化學失活劑、膜分離法、電化學法、層析法、吸附法或離子交換法中的一種或者幾種。
7.如權利要求1所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水的制備方法，其特征在于，所述pH值調節(jié)單元包含酸性物質、堿性物質或酸性物質與堿性物質的組合。
8.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，包括使用前獨立分裝的pH值調節(jié)單元和有效氯提供單元；所述有效氯提供單元為含有有效氯或者可以產生有效氯的制劑，所述pH值調節(jié)單元與所述有效氯提供單元混合后得到強氧化性溶液，所述強氧化性溶液的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根離子的含量不高于1.2mol/L。
9.如權利要求8所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述強氧化性溶液的pH值在5.0-7.0間，其氧化還原電位為700-1100mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其甲磺酸根離子的含量為10-10-0.1mol/L。
10.一種低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在2-8間，其氧化還原電位不低于600mV，其有效氯含量不低于3mg/L，其甲磺酸根離子的含量不高于1.2mol/L。
11.如權利要求10所述的低腐蝕性的氧化電位殺菌水，其特征在于，所述殺菌水的pH值在5.0-7.0間，其氧化還原電位為700-1100mV，其有效氯含量為3-1000mg/L，其甲磺酸根離子的含量為10-10-0.1mol/L。
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