[發明專利]利用響應于能量射線的耐熱粘合片制造半導體器件的方法

無效

• 申請號: 201310066383.8
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103715124A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 樸允敏;崔城煥;金晟鎮;金演秀
• 申請（專利權）人: 東麗先端素材株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種利用響應于能量射線的耐熱粘合片制造半導體器件的方法，所述方法包括：

(a)準備金屬引線框；

(b)在所述金屬引線框上安裝半導體芯片；

(c)將所述半導體芯片導線接合至所述金屬引線框的引線；

(d)將導線接合至安裝在其上的所述半導體芯片的所述金屬引線框層合在具有能量射線透過型耐熱粘合基底的響應于能量射線的耐熱粘合片上，所述能量射線透過型耐熱粘合基底的至少一個表面涂覆有響應于能量射線的耐熱粘合層；

(e)使用密封樹脂密封所述半導體芯片；

(f)當所述半導體芯片被完全密封時，向所述耐熱基底的所述表面輻照能量射線以使所述響應于能量射線的耐熱粘合層固化；以及

(g)當所述響應于能量射線的耐熱粘合層被完全固化時，剝離所述響應于能量射線的耐熱粘合片。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述耐熱基底對于在200nm與450nm之間的范圍內的能量射線波長具有在20％與100％之間的能量射線透過率。

3.根據權利要求1所述的方法，其中在將所述耐熱基底在150℃的烘箱中保持30分鐘之后所述耐熱基底在膜行進方向上具有在0％與5％之間的熱收縮率，并且在與所述膜行進方向垂直的方向上具有在0％與5％之間的熱收縮率。

4.根據權利要求1所述的方法，其中所述耐熱基底具有在10μm與100μm之間的厚度。

5.根據權利要求1所述的方法，其中所述耐熱基底是以下中的至少一種：聚酯膜、透明的聚酰亞胺膜、聚酰胺膜、聚醚砜膜、聚苯硫醚膜、聚醚酮膜、聚醚醚酮膜、三乙酰基纖維素(TAC)膜、聚醚酰胺膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚丙烯膜以及聚碳酸酯膜。

6.根據權利要求1所述的方法，其中所述響應于能量射線的耐熱粘合層涂覆有液體，所述液體包括：能量射線固化型低聚物樹脂、能量射線引發劑、熱固化型丙烯酸-橡膠粘合用樹脂、丙烯酸粘合用樹脂、橡膠粘合用樹脂以及熱固化劑。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述能量射線固化型低聚物樹脂的使用量按重量計為100份所述熱固化型丙烯酸-橡膠粘合用樹脂、所述丙烯酸粘合用樹脂或者所述橡膠粘合用樹脂中的0.01份至30份。

8.根據權利要求6所述的方法，其中所述熱固化型丙烯酸-橡膠粘合用樹脂、所述丙烯酸粘合用樹脂或者所述橡膠粘合用樹脂的重均分子量在30000與2000000之間。

9.根據權利要求6所述的方法，其中根據制造目的，在考慮相應的能量射線的波長的情況下，所述響應于能量射線的耐熱粘合層的能量射線引發劑由一種材料或者兩種或更多種材料的混合物制成，

其中所述能量射線引發劑的使用量按重量計為100份所述能量射線固化型低聚物樹脂中的0.01份至20份。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中所述響應于能量射線的耐熱粘合片由于所述響應于能量射線的耐熱粘合層的潤濕性而附著于銅箔，并且在附著于所述銅箔之后十分鐘時，所述響應于能量射線的耐熱粘合片在能量射線輻照之前具有在50gf/in與1000gf/in之間的粘附度。

11.根據權利要求1至9中任一項所述的方法，其中所述響應于能量射線的耐熱粘合片由于所述響應于能量射線的耐熱粘合層的潤濕性而附著于銅箔，并且響應于在附著于所述銅箔之后經歷十分鐘能量射線輻照，所述響應于能量射線的耐熱粘合片具有在0gf/in與100gf/in之間的粘附度。