[發(fā)明專利]多次離子注入的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310066357.5
• 申請(qǐng)日: 2013-03-01
• 公開（公告）號(hào): CN104022024A
• 公開（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李志國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/265
• 分類號(hào): H01L21/265
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種多次離子注入的方法，包括：

提供晶圓，所述晶圓上依次形成有隔離層以及光阻，所述光阻覆蓋所述隔離層，所述光阻的截面尺寸大于所述隔離層的截面尺寸，所述光阻具有圖案開口，所述圖案開口暴露出預(yù)定的離子注入?yún)^(qū)域，所述圖案開口與所述隔離層保持一安全距離；

進(jìn)行多次離子注入，并限制相鄰離子注入的晶圓的排隊(duì)時(shí)間。

2.如權(quán)利要求1所述的多次離子注入的方法，其特征在于，所述排隊(duì)時(shí)間的計(jì)算步驟包括：

測(cè)量所述光阻的圖案開口的底部尺寸以及所述光阻的實(shí)際厚度，并計(jì)算所述光阻的最小厚度；

測(cè)量N次離子注入步驟后的所述光阻在冷卻過程中不同時(shí)間點(diǎn)的所述光阻的圖案開口的頂部尺寸，其中N為正整數(shù)；

使用第一公式計(jì)算出不同時(shí)間點(diǎn)的每次離子注入?yún)^(qū)域滲透入至所述光阻的滲入深度，并得出所述滲入深度與冷卻時(shí)間的相關(guān)曲線；

根據(jù)所述相關(guān)曲線得出所述滲入深度與冷卻時(shí)間的關(guān)系，并根據(jù)所述滲入深度與冷卻時(shí)間的關(guān)系計(jì)算出每次離子注入?yún)^(qū)域的滲入深度的最小值；

將每次離子注入步驟后N個(gè)滲入深度的最小值相加，計(jì)算出N次離子注入步驟后的滲入深度的最小總值；

根據(jù)所述滲入深度的最小總值小于等于所述安全距離計(jì)算出每次離子注入后的晶圓的排隊(duì)時(shí)間。

3.如權(quán)利要求2所述的多次離子注入的方法，其特征在于，所述第一公式為：

d_N=1/2(T-B)*h/H，

其中，d_N為第N次離子注入的滲入深度，T為所述光阻的圖案開口頂部尺寸，B為所述光阻的圖案開口底部尺寸，h為所述光阻的最小厚度，H為所述光阻的實(shí)際厚度。

4.如權(quán)利要求3所述的多次離子注入的方法，其特征在于，所述滲入深度與冷卻時(shí)間的關(guān)系為：

d_N=a_Nt_N²+b_Nt_N+c_N，

其中，t_N為所述光阻第N次離子注入的冷卻時(shí)間，a_N、b_N、c_N為常數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的多次離子注入的方法，其特征在于，并根據(jù)所述所述滲入深度與冷卻時(shí)間的關(guān)系計(jì)算出該次離子注入?yún)^(qū)域的滲入深度的最大值。

6.如權(quán)利要求5所述的多次離子注入的方法，其特征在于，將多次離子注入步驟后滲入深度的最大值相加，計(jì)算出多次離子注入步驟后的滲入深度的最大總值。

7.如權(quán)利要求6所述的多次離子注入的方法，其特征在于，所述最大總值大于所述滲入深度。

8.如權(quán)利要求2所述的多次離子注入的方法，其特征在于，將安全距離平均分配給多次離子注入?yún)^(qū)域的滲入深度，并以此計(jì)算出每次離子注入后的排隊(duì)時(shí)間。