[發明專利]自適應電壓調整方法、芯片以及系統

有效

• 申請號: 201310066301.X
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103197717A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 郭建平;王新入;付一偉
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司
• 主分類號: G05F1/575
• 分類號: G05F1/575
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

1.一種自適應電壓調整方法，其特征在于，包括：

在第一電壓調整時間，獲取芯片中與老化效應相關的狀態參數，所述第一電壓調整時間為所述芯片設置的多個電壓調整時間中的一個；

根據所述狀態參數，確定與所述第一電壓調整時間對應的老化補償電壓；

根據所述老化補償電壓對所述芯片的最低工作電壓進行補償，以便調整所述芯片的工作電壓。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一電壓調整時間，獲取芯片中與老化效應相關的狀態參數之前，還包括：

根據所述芯片的生命周期劃分所述多個電壓調整時間。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述根據所述芯片的生命周期劃分所述多個電壓調整時間，包括：

采用每相鄰兩個電壓調整時間的時間間隔逐漸遞減的方式，劃分所述多個電壓調整時間；或者，

采用等間隔的方式，劃分所述多個電壓調整時間；或者，

根據所述芯片的老化效應曲線的斜率大小，劃分所述多個電壓調整時間。

4.根據權利要求1～3任一項所述的方法，其特征在于，所述狀態參數，包括：工作電壓和工作溫度。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述根據所述狀態參數，確定與所述第一電壓調整時間對應的老化補償電壓，包括：

根據所述狀態參數，通過查詢存儲介質，獲取與所述第一電壓調整時間對應的老化補償電壓，其中，所述存儲介質保存有通過老化仿真得到的，所述多個電壓調整時間分別與，各個電壓調整時間的狀態參數和老化補償電壓，之間的對應關系；或者，

根據所述狀態參數，通過老化計算，獲取所述老化補償電壓。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述通過老化仿真得到的，多個電壓調整時間分別與，各個電壓調整時間的狀態參數和老化補償電壓，之間的對應關系采用下述方式確定：

在時間節點t_i，根據所述芯片的不同的工作電壓和工作溫度，獲取各工作電壓和工作溫度對應的所述芯片在所述時間節點t_i至t_i+1時間段內的飽和電流退化百分比；

根據所述飽和電流退化百分比，對所述時間節點t_i的工作電壓進行修正，獲得所述各工作電壓和溫度對應的所述時間節點t_i+1時的老化補償電壓；

其中，所述i為大于等于0的整數，所述時間節點的個數大于或等于所述電壓調整時間的個數，所述芯片在時間節點t_i的工作電壓為所述芯片在時間節點t_i-1的工作電壓與所述芯片在時間節點t_i-1的工作電壓和溫度對應的所述時間節點t_i時的老化補償電壓之和。