[發(fā)明專利]發(fā)光裝置、照明裝置、發(fā)光裝置集合體及發(fā)光裝置的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310066289.2
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103296177A
• 公開（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設計）人: 脅家慎介;高木俊和;福塚浩史;大藪恭也;片山博之;近藤隆;河野廣希
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L33/50
• 分類號: H01L33/50;H01L33/62;H01L33/60;H01L25/075
• 代理公司: 北京林達劉知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，

該發(fā)光裝置包括：

基板，其上表面包括鏡面區(qū)域；

半導體發(fā)光元件，其配置在上述鏡面區(qū)域內(nèi)；以及

封裝層，其與上述基板的上述上表面接合；

上述封裝層包括：

下層，其與上述基板的上述上表面相接觸并覆蓋上述半導體發(fā)光元件，該下層含有熒光體；以及

上層，其位于上述下層上且每單位面積的熒光體的含量多于上述下層的每單位面積的熒光體的含量。

2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

上述基板包括：

鋁基板；

絕緣層，其配置在上述鋁基板上；以及

配線，其形成于上述絕緣層上，

上述鏡面區(qū)域為上述鋁基板的表面。

3.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

上述封裝層為矩形，上述封裝層的一對相對側的邊緣與上述基板的一對邊緣對齊。

4.根據(jù)權利要求3所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

上述鏡面區(qū)域延伸到上述基板的上述一對邊緣。

5.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

在上述鏡面區(qū)域內(nèi)配置有被串聯(lián)連接的多個半導體發(fā)光元件，

將上述多個半導體發(fā)光元件連接起來的引線不與上述鏡面區(qū)域接觸。

6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

上述基板上的與上述半導體發(fā)光元件的電極相連接的電極被上述封裝層覆蓋。

7.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

上述鏡面區(qū)域呈細長形狀，

多個半導體發(fā)光元件與上述鏡面區(qū)域相應地配置，

上述封裝層與上述鏡面區(qū)域相應地設置并與上述基板的上述上表面接合。

8.一種照明裝置，其特征在于，

該照明裝置包括：

發(fā)光裝置；殼體，其內(nèi)部配置上述發(fā)光裝置；以及

窗部，其設于上述殼體，供來自上述發(fā)光裝置的光透過，

上述發(fā)光裝置包括：

基板，其上表面包括鏡面區(qū)域；

半導體發(fā)光元件，其配置在上述鏡面區(qū)域內(nèi)；以及

封裝層，其與上述基板的上述上表面接合；

上述封裝層包括：

下層，其與上述基板的上述上表面相接觸并覆蓋上述半導體發(fā)光元件，該下層含有熒光體；以及

上層，其位于上述下層上且每單位面積的熒光體的含量多于上述下層的每單位面積的熒光體的含量。

9.一種發(fā)光裝置集合體，其特征在于，

該發(fā)光裝置集合體包括：

連續(xù)基板，其上表面包括鏡面區(qū)域，該連續(xù)基板具有與多個發(fā)光裝置的基板相對應的多個部位；

多個半導體發(fā)光元件，其配置在上述鏡面區(qū)域內(nèi)；以及

封裝層，其以跨越與上述多個發(fā)光裝置的基板相對應的上述多個部位的方式與上述連續(xù)基板的上述上表面接合，

上述封裝層包括：

下層，其與上述連續(xù)基板的上述上表面相接觸并覆蓋上述多個半導體發(fā)光元件，該下層含有熒光體；以及

上層，其位于上述下層上且每單位面積的熒光體的含量多于上述下層的每單位面積的熒光體的含量。

10.根據(jù)權利要求9所述的發(fā)光裝置集合體，其特征在于，

上述鏡面區(qū)域位于上述連續(xù)基板的上述上表面，并且是跨越與上述多個發(fā)光裝置的基板相對應的上述多個部位位于上述鏡面區(qū)域內(nèi)。

11.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

該發(fā)光裝置的制造方法包括：

將半導體發(fā)光元件配置在被設于基板的上表面的鏡面區(qū)域內(nèi)的工序；

將上述半導體發(fā)光元件和上述基板的電極連接起來的工序；

通過在上述基板的上述上表面上配置兩層結構的封裝片而用上述封裝片的下層覆蓋上述半導體發(fā)光元件的工序；以及

通過使上述封裝片固化來使上述封裝片成為與上述上表面接合的封裝層的工序，

上述封裝層的上層和上述下層都含有熒光體，

上述上層的每單位面積的熒光體的含量多于上述下層的每單位面積的熒光體的含量。

12.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

該發(fā)光裝置的制造方法包括：

將多個半導體發(fā)光元件配置在被設于具有與多個發(fā)光裝置的基板相對應的多個部位的連續(xù)基板的上表面的鏡面區(qū)域內(nèi)的工序；

將上述多個半導體發(fā)光元件和上述連續(xù)基板的電極連接起來的工序；

通過在上述連續(xù)基板的上述上表面上以跨越與上述多個發(fā)光裝置的基板相對應的上述多個部位的方式配置兩層結構的封裝片而用上述封裝片的下層覆蓋上述多個半導體發(fā)光元件的工序；

通過使上述封裝片固化來使上述封裝片成為與上述上表面接合的封裝層的工序；以及

通過切斷上述連續(xù)基板和上述封裝層來使上述多個部位分開的工序，

上述封裝層的上層和上述下層都含有熒光體，

上述上層的每單位面積的熒光體的含量多于上述下層的每單位面積的熒光體的含量。