[發(fā)明專(zhuān)利]相偏移光罩的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310066256.8
• 申請(qǐng)日: 2013-03-01
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104020639A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)世傳
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F1/68
• 分類(lèi)號(hào): G03F1/68;G03F1/82
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時(shí)云

1.一種相偏移光罩的制作方法，其特征在于，包括：

提供基底，并在所述基底上形成圖案化的相移層；

對(duì)所述圖案化的相移層進(jìn)行等離子體處理；

清洗所述相偏移光罩。

2.如權(quán)利要求1所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述等離子體處理為采用感應(yīng)耦合電漿機(jī)進(jìn)行等離子體處理。

3.如權(quán)利要求2所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述感應(yīng)耦合電漿機(jī)的電感耦合功率為100～1000w。

4.如權(quán)利要求2所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述感應(yīng)耦合電漿機(jī)的反應(yīng)離子功率為10～600w。

5.如權(quán)利要求1所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述等離子體處理的時(shí)間為100～1000s。

6.如權(quán)利要求1所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述等離子體處理在壓強(qiáng)為3～10mtorr、溫度為20℃～25℃的環(huán)境下進(jìn)行。

7.如權(quán)利要求1所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述等離子體處理所采用的原料為氧氣、氦氣和氯氣。

8.如權(quán)利要求7所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述氧氣、氦氣和氯氣的體積范圍比為1:2～3:4～6。

9.如權(quán)利要求1所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，所述相移層的材料為硅化鉬。

10.如權(quán)利要求1所述的相偏移光罩的制作方法，其特征在于，采用硫酸、雙氧水及氨水的混合溶液清洗所述相偏移光罩。