[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體器件的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310066237.5 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN104022081A | 公開（公告）日： | 2014-09-03 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 劉達(dá);沈旭昭;劉磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 半導(dǎo)體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：
提供一襯底，所述襯底上包括NMOSFET區(qū)域、PMOSFET區(qū)域、非高電阻區(qū)域和高電阻區(qū)域；
在所述襯底上形成應(yīng)力層；
對所述應(yīng)力層進(jìn)行第一次光刻，去除所述PMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層；
對所述應(yīng)力層進(jìn)行退火處理；
對所述應(yīng)力層進(jìn)行第二次光刻，去除所述NMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述應(yīng)力層包括依次形成于所述襯底上的氧化硅層和氮化硅層。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述氧化硅層的厚度為所述氮化硅層的厚度為
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述退火處理包括瞬間退火處理以及激光脈沖退火處理。
5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在對所述應(yīng)力層進(jìn)行第二次光刻，去除NMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層步驟中，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層作為高電阻區(qū)域上的自對準(zhǔn)金屬硅化物阻擋層。
6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，對所述應(yīng)力層進(jìn)行第一次光刻，去除所述PMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層的步驟包括：
在所述應(yīng)力層上形成第一光刻膠；
對所述第一光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除一部分第一光刻膠，暴露出所述PMOSFET區(qū)域和非高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層；
刻蝕暴露出的所述PMOSFET區(qū)域和非高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述NMOSFET區(qū)域和高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層；
去除剩余的第一光刻膠。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，對所述應(yīng)力層進(jìn)行第二次光刻，去除所述NMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層的步驟包括：
在所述應(yīng)力層、PMOSFET區(qū)域和非高電阻區(qū)域上形成第二光刻膠；
對所述第二光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除一部分第二光刻膠，暴露所述NMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述PMOSFET區(qū)域、高電阻區(qū)域和非高電阻區(qū)域上第二光刻膠；
刻蝕暴露出的所述NMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層；
去除剩余的第二光刻膠。
8.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，對所述應(yīng)力層進(jìn)行第一次光刻，去除所述PMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層的步驟包括：
在所述應(yīng)力層上形成第一光刻膠；
對所述第一光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除一部分第一光刻膠，暴露出所述PMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層；
刻蝕暴露出的所述PMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述NMOSFET區(qū)域、非高電阻區(qū)域和高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層；
去除剩余的第一光刻膠。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，對所述應(yīng)力層進(jìn)行第二次光刻，去除所述NMOSFET區(qū)域上的應(yīng)力層，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層的步驟包括：
在所述應(yīng)力層和PMOSFET區(qū)域上形成第二光刻膠；
對所述第二光刻膠進(jìn)行曝光和顯影，去除一部分第二光刻膠，暴露出所述NMOSFET區(qū)域和非高電阻區(qū)域的應(yīng)力層，保留所述PMOSFET區(qū)域和高電阻區(qū)域上的第二光刻膠；
刻蝕暴露出NMOSFET區(qū)域和非高電阻區(qū)域的應(yīng)力層，保留所述高電阻區(qū)域上的應(yīng)力層；
去除剩余的第二光刻膠。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述NMOSFET區(qū)域上形成有NMOSFET。
11.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述PMOSFET區(qū)域上形成有PMOSFET。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
