[發(fā)明專利]一種鍍鈀鍍金的雙鍍層鍵合銅絲有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310066035.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103219312A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂燕翔;居勤坤;史仁龍;萬傳友;彭芳美;周國(guó)忠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 溧陽市虹翔機(jī)械制造有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L23/49 | 分類號(hào): | H01L23/49;C25D7/06 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責(zé)任公司 32112 | 代理人: | 朱戈勝 |
| 地址: | 213351 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鍍金 鍍層 銅絲 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路芯片封裝領(lǐng)域,具體來說涉及一種半導(dǎo)體集成電路芯片鍵合用雙鍍層銅絲。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體集成電路制造完成后所得的芯片雖然已經(jīng)具有特定的功能,但是要實(shí)現(xiàn)該功能,必須通過與外部電子元件的連接。而半導(dǎo)體集成電路芯片需要經(jīng)過與封裝體的鍵合工序,最終得到芯片封裝,如此才能通過封裝的引腳與外部電子元件連接。在芯片與封裝體的鍵合工藝中,都通過鍵合線將芯片上的焊盤與封裝體的引腳進(jìn)行電連接。所以鍵合線是實(shí)現(xiàn)芯片功能必不可少的材料。現(xiàn)有技術(shù)中,中國(guó)授權(quán)專利CN102130067B公開了一種表面鍍鈀鍵合銅絲,這種鍍鈀鍵合銅絲由于采用價(jià)格相對(duì)低廉的鈀作為鍍層,因此相對(duì)于鍍金鍵合銅絲來說,其制造成本以及應(yīng)用成本相對(duì)更低,但是這種鍍鈀鍵合銅絲由于采用金屬鈀作為鍍層,因此相對(duì)于鍍金鍵合銅絲來說,其導(dǎo)電性能存在不足。中國(guó)授權(quán)實(shí)用新型專利CN201788710U公開了一種高導(dǎo)光亮復(fù)合鍍銀銅絲,其采用金屬銀作為銅絲的鍍層,由于銀的優(yōu)良導(dǎo)電性能以及其相對(duì)適中的價(jià)格,因此其能在一定范圍內(nèi)取代鍍鈀鍵合銅絲。但是這種鍍銀鍵合銅絲同樣存在不足,例如延展性不好,在加工過程中容易被破壞。
而且,無論是鍍鈀鍵合銅絲還是鍍銀鍵合銅絲,相對(duì)于純金來說,由于鈀或銀的導(dǎo)電性能仍存在不足,例如電阻率較高,這導(dǎo)致其在體積非常小的芯片封裝中所產(chǎn)生的熱量無法忽視。因而有必要研究一種性能優(yōu)異的替代鍵合絲。
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種具有雙鍍層的鍵合銅絲,以克服現(xiàn)有鍍鈀或鍍銀鍵合銅絲導(dǎo)電性能較差,并且延展性能不好的缺陷。
本發(fā)明提出的雙鍍層鍵合銅絲具有三層結(jié)構(gòu),最內(nèi)層為在高純銅中添加了微量金屬元素的銅芯,在該銅芯的表面鍍有純鈀導(dǎo)電層,在純鈀導(dǎo)電層的表面鍍有純金導(dǎo)電層;其中所述微量金屬元素為錫、鎂和鋁。
其中,所述高純銅的純度大于99.9995%,以所述雙鍍層鍵合銅絲為100重量份,即100wt%計(jì),其中銅芯中純銅的含量為92.6~93.8wt%,微量元素總體含量為1wt%,純鈀導(dǎo)電層的含量為2.7~5.4wt%,純金導(dǎo)電層的含量為1~2.5wt%。
其中,所述微量金屬元素的總含量為1wt%,包括0.5wt%的錫、0.3wt%的鎂以及0.2wt%的鋁。
其中,所述純鈀的純度大于99.99%,所述純金的純度大于99.99%。
附圖說明:
圖1為本發(fā)明提出的雙鍍層結(jié)構(gòu)的鍵合銅絲。
具體實(shí)施方式:
下面通過具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明提出的雙鍍層鍵合銅絲進(jìn)行詳細(xì)說明。
實(shí)施例
如圖1所示,本發(fā)明提出的雙鍍層鍵合銅絲包括銅芯1、鍍鈀層2、鍍金層3。其中,銅芯1為采用純度大于99.9995%的高純銅為原料,通過添加錫、鎂和鋁進(jìn)行單晶熔煉而成;鍍鈀層2采用純度大于99.99%的金屬鈀,通過電鍍工藝將其鍍?cè)阢~芯的表面上;鍍金層3采用純度大于99.99%的金屬金,通過電鍍工藝將其電鍍?cè)阱冣Z層2的表面上。其中,以最終制得的含有鍍鈀層和鍍金層的雙鍍層鍵合銅絲為100重量份計(jì),即100wt%計(jì),銅芯中純銅的含量為92.6~93.8wt%,純鈀導(dǎo)電層的含量為2.7~5.4wt%、純金導(dǎo)電層的含量為1~2.5wt%,錫的含量為0.5wt%、鎂的含量為0.3wt%、鋁的含量為0.2wt%。
下面介紹制造本發(fā)明雙鍍層鍵合銅絲的具體工藝方法,該方法以先后次序依次包括如下步驟:
(1)以最終制得的含有鍍鈀層和鍍金層的雙鍍層鍵合銅絲為100重量份計(jì),即100wt%計(jì),將92.6~93.8wt%的純度大于99.9995%的高純銅置入熔煉爐熔化,并加入0.5wt%的錫、0.3wt%的鎂、0.2wt%的鋁,經(jīng)過單晶熔煉拉伸成銅芯,銅芯的直徑大約為8mm,并且該銅芯的縱向和橫向晶粒數(shù)均為1個(gè);
(2)將所述銅芯進(jìn)行粗拔以制得直徑大約為3-4mm的銅絲后,對(duì)所述銅絲進(jìn)行退火,退火溫度大約為450-500攝氏度,退火時(shí)間大約為20-60分鐘,退火后進(jìn)行水冷;
(3)電鍍純鈀導(dǎo)電層:在退火后銅芯表面上電鍍2.7~5.4wt%的純鈀,以形成純鈀導(dǎo)電層,所述純鈀的純度大于99.99%;
(4)第一次精拔:將完成步驟(3)的電鍍有純鈀導(dǎo)電層的銅絲,精拔成直徑大約為1-2mm的鍍鈀銅絲;
(5)第一次熱退火:對(duì)完成步驟(4)的鍍鈀銅絲進(jìn)行熱退火,其中熱退火溫度大約為450-500攝氏度,時(shí)間大約為20-60分鐘;
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