[發明專利]移位寄存器單元、柵極驅動裝置及顯示裝置

有效

• 申請號: 201310065976.2
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103198781A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 曾勉;李小和;金在光
• 申請（專利權）人: 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/20
• 分類號: G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;黃燦

1.一種移位寄存器單元，其特征在于，所述移位寄存器單元包括一電容，所述電容的一端與一本級輸出節點連接，所述電容的另一端與一拉高節點連接，所述移位寄存器單元還包括：

第一薄膜場效應晶體管，其漏極連接第一信號端，源極連接所述本級輸出節點，柵極連接到第一節點；其中，所述第一信號端在所述第一薄膜場效應晶體管導通時輸出低電位信號；

第二薄膜場效應晶體管，其漏極連接所述第一信號端，源極連接所述拉高節點，柵極連接到所述第一節點；其中，所述第一信號端在所述第二薄膜場效應晶體管導通時輸出低電位信號；

第三薄膜場效應晶體管，其漏極連接第二信號端，源極連接所述本級輸出節點，柵極連接到第二節點；其中，所述第二信號端在所述第三薄膜場效應晶體管導通時輸出低電位信號；

第四薄膜場效應晶體管，其漏極連接所述第二信號端，源極連接所述拉高節點，柵極連接到所述第二節點；其中，所述第二信號端在所述第四薄膜場效應晶體管導通時輸出低電位信號；

節點電壓控制模塊，用于在所述移位寄存器單元處于下拉階段時控制所述第一節點和第二節點輪流處于高電位狀態。

2.根據權利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，還包括：

第一關聯單元，用于在所述拉高節點處于高電位時，輸出低電位信號到所述第一節點和第二節點。

3.根據權利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于：

所述節點電壓控制模塊包括第一節點電壓控制子模塊和第二節點電壓控制子模塊；

第一節點電壓控制子模塊包括：

第五薄膜場效應晶體管，其源極和柵極接收第一時鐘控制信號，漏極連接到第一節點；

第六薄膜場效應晶體管，其漏極接收低電位信號，源極連接到第二節點，柵極接收所述第一時鐘控制信號；

第二節點電壓控制子模塊包括：

第七薄膜場效應晶體管，其源極和柵極接收第二時鐘控制信號，漏極連接到第二節點；

第八薄膜場效應晶體管，其漏極接收低電位信號，源極連接到第一節點，柵極接收所述第二時鐘控制信號；

第二時鐘控制信號和第一時鐘控制信號的相位相反。

4.根據權利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，還包括在復位信號的控制下，輸出低電位信號到所述拉高節點和所述本級輸出節點的第一復位單元，所述第一復位單元包括：

第九薄膜場效應晶體管，漏極接收低電位信號，源極連接拉高節點，柵極接收所述復位信號；

第十薄膜場效應晶體管，源極接收第一時鐘控制信號，漏極連接第一節點，柵極接收所述復位信號；

第十一薄膜場效應晶體管，源極接收第二時鐘控制信號，漏極連接第二節點，柵極接收所述復位信號。

5.根據權利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于：

所述節點電壓控制模塊包括第三節點電壓控制子模塊和第四節點電壓控制子模塊；

第三節點電壓控制子模塊包括：

第十二薄膜場效應晶體管，源極和柵極接收第三時鐘控制信號，漏極連接到第十三薄膜場效應晶體管的柵極；

第十三薄膜場效應晶體管，源極接收第三時鐘控制信號，漏極連接到第一節點；

第十四薄膜場效應晶體管，漏極接收低電位信號，源極連接到第二節點，柵極接收所述第三時鐘控制信號；

第四節點電壓控制子模塊包括：

第十五薄膜場效應晶體管，源極和柵極接收第四時鐘控制信號，漏極連接到第十六薄膜場效應晶體管的柵極；

第十六薄膜場效應晶體管，源極接收第四時鐘控制信號，漏極連接到第二節點；

第十七薄膜場效應晶體管，漏極接收低電位信號，源極連接到第一節點，柵極接收所述第四時鐘控制信號；

第四時鐘控制信號和第三時鐘控制信號的相位相反。

6.根據權利要求5所述的移位寄存器單元，其特征在于，還包括：

第二關聯單元，用于在所述拉高節點處于高電位時使所述第十三薄膜場效應晶體管和第十六薄膜場效應晶體管都截止，同時向第一節點和第二節點輸出低電位信號。