[發明專利]一種薄膜電容器的制造方法

有效

• 申請號: 201310065920.7
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103165285A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 錢時昌
• 申請（專利權）人: 溧陽華晶電子材料有限公司
• 主分類號: H01G4/33
• 分類號: H01G4/33
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 蔣家華

1.一種薄膜電容器的制造方法，該方法依次包括如下步驟：?

（1）準備如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的鎳錠、0.001-0.002重量%的銅、0.0005-0.0008重量%的錳，0.005-0.008重量%的鋁、0.0005-0.001重量%的鉻，0.004-0.006重量%的鐵、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的銻以及0.001-0.002重量%的鉭；?

（2）將上述原料熔融后，將其軋制成箔片，然后對該箔片進行退火，從而制成鎳基板；?

（3）按照四方相鋯鈦酸鉛PbZr_1-xTi_xO₃的摩爾比例進行配置將氧化鉛PbO、二氧化鋯ZrO₂和二氧化鈦TiO₂粉末進行煅燒，從而燒結成PZT靶材，其中x取值是：0<x<1，優選x為0.05≤x≤0.85；?

（4）在磁控濺射反應室中，利用射頻磁控濺射方法，在惰性氣體環境中將PZT靶材濺射沉積在所述鎳基板上，從而形成PbZr_1-xTi_xO₃電介質層；?

（5）在磁控濺射反應室中，利用射頻磁控濺射方法，在惰性氣體環境中將金屬材料濺射沉積在所述電介質層上，從而形成電極層3。?

2.如權利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其特征在于：?

所述鎳基板的厚度為100-300微米，優選為200微米。?

3.如權利要求2所述的薄膜電容器的制造方法，其特征在于：?

其中步驟（3）中煅燒溫度為950℃-1200℃，煅燒時間為2.5-3小時。?

4.如權利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其特征在于：?

其中，該電介質層2的厚度為1-5微米，優選2微米。?

5.如權利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其特征在于：?

該電極層3的厚度為100-200微米，優選120微米。?

6.如權利要求1所述的薄膜電容器的制造方法，其特征在于：?

其中，步驟（4）和（5）中，射頻磁控濺射反應室的真空度都為10-5帕斯卡；并且在步驟（4）中，射頻磁控濺射的射頻功率為150-200W，濺射時?間為60分鐘；在步驟（5）中，射頻磁控濺射的射頻功率100-150W，濺射時間為120分鐘。?