[發明專利]發光二極管封裝結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201310065574.2
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN104022215B
• 公開（公告）日: 2017-02-01
• 發明（設計）人: 林厚德;陳濱全;陳隆欣
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/60
• 分類號: H01L33/60;H01L33/62
• 代理公司: 深圳市鼎言知識產權代理有限公司44311
• 代理人: 鄭海威

技術領域

本發明涉及一種半導體發光元件，特別涉及一種發光二極管封裝結構及其制造方法。

背景技術

發光二極管（light?emitting?diode，LED）作為一種高效的發光源，具有環保、省電、壽命長等諸多特點已經被廣泛的運用于各種領域。

在應用到具體領域中之前，發光二極管還需要進行封裝，以保護發光二極管芯片，從而獲得較高的發光效率及較長的使用壽命。

一般的發光二極管封裝結構通常先成型反射杯，在反射杯成型后再將電極彎折貼設于反射杯的底面及側面上。然而，這種方法制成的發光二極管封裝結構的密合度不佳，封裝結構中的電極與反射杯之間結合不緊密，電極在使用過程中容易松動或脫落。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種結構密合度較好的發光二極管封裝結構及其制造方法。

一種發光二極管封裝結構的制造方法，包括以下步驟：提供裝設有多列第一電極和第二電極的引線架，所述第一電極和第二電極交錯排列于引線架上，同列中的各第一電極通過第一連接條縱向串接，同列中的各第二電極通過第二連接條縱向串接，第一電極鄰近第一連接條的一端向外延伸形成有第一接引電極，第二電極鄰近第二連接條的一端向外延伸形成有第二接引電極；在引線架上相鄰的第一連接條和第二連接條之間形成圍繞第一電極和第二電極的反射杯，所述反射杯具有容納發光二極管芯片的容置槽，所述第一電極和第二電極嵌置于反射杯內，所述第一接引電極和第二接引電極分別自反射杯的相對兩側凸出于反射杯外；對第一電極鄰近第一連接條的至少一頂角和第二電極鄰近第二連接條的至少一頂角分別進行切割以形成對應第一電極的至少一第一缺口和對應第二電極的至少一第二缺口；在容置槽內設置發光二極管芯片并電連接發光二極管芯片與所述第一電極和第二電極；在容置槽內形成覆蓋發光二極管芯片的封裝層；以及沿所述第一缺口和第二缺口橫向切割反射杯及連接條以形成多個獨立的發光二極管封裝結構。

一種發光二極管封裝結構，該發光二極管封裝結構由上述發光二極管封裝結構的制造方法所制成。

與現有技術相比，在本發明所述的發光二極管封裝結構的制造方法中，反射杯形成于兩相鄰的第一連接條和第二連接條之間，第一電極和第二電極在反射杯成型后嵌置于反射杯內，反射杯成型的過程中并不會與第一接引電極和第二接引電極發生干涉，在反射杯成型后第一接引電極和第二接引電極外露于反射杯的相對兩側，由上述制造方法所制成的發光二極管封裝結構中第一電極和第二電極與反射杯結合的更加牢固，能夠效提升整個發光二極管封裝結構的密合度。

下面參照附圖，結合具體實施例對本發明作進一步的描述。

附圖說明

圖1是本發明一實施例的發光二極管封裝結構的制造方法流程圖。

圖2是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法步驟S101中所得元件的俯視示意圖。

圖3是圖2中所示框線部分的放大示意圖。

圖4是圖3中所示元件沿IV-IV線的剖面示意圖。

圖5是圖3中所示元件的仰視示意圖。

圖6是圖3中所示元件沿VI-VI線的剖面示意圖。

圖7是圖2中所示元件放置于模具內時的剖面示意圖。

圖8是圖2中所示元件放置于模具內時的仰視示意圖（其中下模具的底部被隱藏）。

圖9是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法步驟S102中所得元件的俯視示意圖。

圖10是圖9中所示框線部分的放大示意圖。

圖11是圖10中所示元件沿XI-XI線的剖面示意圖。

圖12是圖10中所示元件的仰視示意圖。

圖13是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法步驟S103中所得元件在形成缺口前的仰視示意圖。

圖14是圖13中所示元件在形成缺口后的仰視示意圖。

圖15是圖1中所示發光二極管封裝結構的制造方法步驟S106中所得的發光二極管封裝結構的俯視示意圖。

圖16是圖15中所示發光二極管封裝結構沿XVI-XVI線的剖面示意圖。

圖17是圖15中所示發光二極管封裝結構的仰視示意圖。

主要元件符號說明