[發(fā)明專利]一種鍍銀鍵合銅絲的制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310065492.8 | 申請日: | 2013-03-01 |
| 公開(公告)號: | CN103219247A | 公開(公告)日: | 2013-07-24 |
| 發(fā)明(設計)人: | 呂燕翔;居勤坤;史仁龍;萬傳友;彭芳美;周國忠 | 申請(專利權)人: | 溧陽市虹翔機械制造有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;C25D7/06;C25D5/10;B21C1/00 |
| 代理公司: | 南京天翼專利代理有限責任公司 32112 | 代理人: | 朱戈勝 |
| 地址: | 213351 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 鍍銀 銅絲 制造 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于半導體集成電路芯片封裝領域,具體來說涉及一種半導體集成電路芯片鍵合用鍍銀銅絲的制造方法。?
背景技術
半導體集成電路制造完成后所得的芯片雖然已經(jīng)具有特定的功能,但是要實現(xiàn)該功能,必須通過與外部電子元件的連接。而半導體集成電路芯片需要經(jīng)過與封裝體的鍵合工序,最終得到芯片封裝,如此才能通過封裝的引腳與外部電子元件連接。在芯片與封裝體的鍵合工藝中,都通過鍵合線將芯片上的焊盤與封裝體的引腳進行電連接。所以鍵合線是實現(xiàn)芯片功能必不可少的材料。現(xiàn)有技術中,因為純金的導電性能優(yōu)異,鍵合線多由純金制成。但隨著黃金資源的日益稀缺、價格持續(xù)攀升,封裝成本大幅上升。為此業(yè)內(nèi)技術人員研發(fā)出鍍金銅絲產(chǎn)品來替代金絲的產(chǎn)品。該鍍金銅絲是通過在銅芯上鍍金來形成,這種產(chǎn)品兼顧了金的優(yōu)異導電性能,而且采用銅來作為芯體,從而可以減少金的用量,節(jié)約了成本。然而,鍍金鍵合銅絲雖然價格低廉,且在拉伸、剪切強度和延展等方面的性能優(yōu)于金絲,但隨著芯片行業(yè)的快速小型化、多引腳高密度化,鍍金鍵合銅絲越來越無法滿足需求。這是因為銅的導電性能雖然良好,但相對于金來說,其電阻率較高,這導致其在體積非常小的芯片封裝中所產(chǎn)生的熱量無法忽視。因而有必要研究一種即經(jīng)濟又性能優(yōu)異的替代鍵合絲。
并且,現(xiàn)有技術中鍍銀鍵合銅絲的制造方法一般都是粗拔后直接一次精拔成型的工藝,這種工藝由于僅采用一次精拔,銅絲由很大的直徑一次被拉拔成很細的直徑,直徑的減小過程過于激烈,因此容易造成斷線。
發(fā)明內(nèi)容:
本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種制造鍍銀鍵合銅絲的方法,以克服現(xiàn)有鍍金鍵合銅絲生產(chǎn)成本高、電鍍層硬度低不耐摩擦的缺陷,通過鍍銀層替代鍍金層,從而得到低成本的鍍銀鍵合銅絲,并且通過多次精拔的方法,減少銅絲斷線的出現(xiàn)。
本發(fā)明提出的鍍銀鍵合銅絲的制造方法總體來說是以純度大于99.9995%的高純銅絲為芯體,在該芯片的表面鍍有純銀導電層,其中銅芯的含量為91.1~97.3wt%,純銀導電層的含量為2.7wt%~8.9wt%,其余為銅。
下面具體介紹本發(fā)明的鍍銀鍵合銅絲的制造方法,其依次包括如下步驟:
本發(fā)明鍍銀鍵合銅絲的制造方法,按先后次序依次包括以下步驟:?
(1)提取高純銅:以國家標準1號純銅為原料,提取純度大于99.9995%的高純銅;將高純銅連鑄得到直徑大約為8mm的高純銅棒,該高純銅棒的縱向和橫向晶粒數(shù)均為1個;?
(2)將直徑大約為8mm的高純銅棒進行粗拔以制得直徑大約為3-4mm的銅絲后,對所述銅絲進行退火,退火溫度大約為450-500攝氏度,退火時間大約為20-60分鐘,退火后進行水冷;?
(3)電鍍前的稱重準備:按照重量百分比計,選取91.1~97.3wt%的銅作為銅芯,將2.7~8.9wt%的純銀分成兩份,其中第一份為1.5~6.2wt%,第二份為1.2-2.7wt%,其中,純銀的純度為大于99.99%;
(4)第一次電鍍純銀保護層:將退火后的按重量百分比計91.1~97.3wt%的銅作為銅芯,在所述銅芯的表面上電鍍第一份1.5~6.2wt%的純銀;
(5)第一次精拔:將完成步驟(4)的電鍍有純銀保護層的銅絲,精拔成直徑大約為1-1.5mm的鍍銀鍵合銅絲;
(6)第一次熱退火:對完成步驟(5)的鍍銀鍵合銅絲進行熱退火,其中熱退火溫度大約為450-500攝氏度,時間大約為20-60分鐘;
(7)第二次電鍍純銀保護層:在完成步驟(6)的鍵合銅絲的表面上電鍍第二份1.2-2.7wt%的純銀;
(8)第二次精拔:將完成步驟(7)的鍍銀鍵合銅絲精拔成直徑大約為15-25微米的鍍銀鍵合銅絲;
(9)第二次熱退火:對完成步驟(8)的鍍銀鍵合銅絲進行熱退火,其中熱退火溫度大約為450-500攝氏度,時間大約為20-60分鐘;
(10)清洗:對完成步驟(9)的鍍銀鍵合銅絲進行表面清洗,采用酸性溶液先對其進行一次清洗,然后采用去離子水進行二次清洗;
(11)將清洗干凈的鍍銀鍵合銅絲烘干。?
具體實施方式:
下面通過具體實施方式對本發(fā)明鍍銀鍵合銅絲的制造方法進行詳細說明。
實施例1
(1)提取高純銅:以國家標準1號純銅為原料,提取純度大于99.9995%的高純銅;將高純銅連鑄得到直徑大約為8mm的高純銅棒,該高純銅棒的縱向和橫向晶粒數(shù)均為1個;?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





