[發(fā)明專(zhuān)利]一種激光二極管的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310065381.7
• 申請(qǐng)日: 2013-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103151707A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-06-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 童小春
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 溧陽(yáng)市宏達(dá)電機(jī)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01S5/327
• 分類(lèi)號(hào): H01S5/327
• 代理公司: 南京天翼專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種激光二極管的制造方法，其依次包括如下步驟：

第一步，選取藍(lán)寶石作為襯底，將該襯底放置到具有無(wú)水乙醇的超聲波振蕩器中進(jìn)行清洗，以去除襯底表面的油脂，然后再將其放置到具有去離子水的超聲波振蕩器中進(jìn)行清洗，以去除殘余的無(wú)水乙醇；

第二步，將所述襯底放入磁控濺射反應(yīng)室中，通過(guò)射頻磁控濺射工藝在所述襯底上形成300-600nm厚度的氧化鎳薄膜；

第三步，將純度為99.99％的氧化鋅粉末、鎂的摩爾含量為8-13%的氧化鎂粉末以及砷的摩爾含量為0.5-1.5％的氧化砷粉末進(jìn)行混合，然后壓制形成靶材；然后將完成第二步所得的襯底放入磁控濺射反應(yīng)室中，利用射頻磁控濺射方法，在惰性氣體環(huán)境中將靶材濺射沉積在所述氧化鎳薄膜的上表面上，從而形成厚度為200-400nm的鎂砷共摻雜的p型ZnO晶體薄膜；

第四步，對(duì)完成第三步的襯底進(jìn)行熱退火，退火氣氛為氧氣，退火溫度為700℃，退火時(shí)間為40分鐘，退火后自然冷卻；

第五步，在所述襯底的下表面上和所述鎂砷共摻雜的p型ZnO晶體薄膜的上表面上濺射金屬材料，從而分別形成底電極和頂電極。

2.如權(quán)利要求1所述的激光二極管的制造方法，其特征在于：

其中，所述鎂砷共摻雜p型氧化鋅薄膜中Mg的摩爾百分含量是8-13％，砷的摩爾百分含量是0.5-1.5％；并且，在常溫下，鎂砷共摻雜的p型ZnO晶體薄膜的壓電常數(shù)d₃₃大于18pC/N，其電阻率大于10¹⁰Ω〃cm。

3.如權(quán)利要求1或2所述的激光二極管制造方法，其特征在于：

其中，第二步和第三步中，射頻磁控濺射反應(yīng)室的真空度都為10^-5帕斯卡；第二步中，射頻磁控濺射的射頻功率120-200W，射頻磁控濺射時(shí)間為1.5小時(shí)；第三步中，射頻磁控濺射的射頻功率100-150W，射頻磁控濺射時(shí)間為2.5小時(shí)。

4.如權(quán)利要求1-3任意之一所述的激光二極管制造方法，其特征在于：

其中，可以采用多種金屬材料來(lái)構(gòu)成底電極1和頂電極5的材料，例如金、銀或銅，也可以采用金屬化合物材料來(lái)構(gòu)成所述底電極1和頂電極5，例如ITO。