[發明專利]一種光控局部電沉積二氧化硅薄膜的制備方法

有效

• 申請號: 201310065160.X
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103088382A
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 胡吉明;江亮亮;張鑒清
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: C25D9/04
• 分類號: C25D9/04;C25D7/12;C25D5/02;C23C18/14
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種光控局部電沉積二氧化硅薄膜的制備方法，其特征在于它的步驟如下:

1）按正硅酸甲酯或正硅酸乙酯：0.2?mol/L硝酸鉀或硝酸鈉溶液：乙醇為0.01~0.2：1：1體積比配制前軀體溶液，用稀鹽酸溶液調節pH至2~4，室溫下充分攪拌水解1~48小時，得到沉積液；

2）將待沉積的基體至于沉積液中作為陰極，以石墨或鉑片為輔助電極，以飽和甘汞電極為參比電極，采用外界光源對基體表面進行光照的同時，對基體施加-0.5~-1.5V/SCE的陰極輔助電位，沉積時間為1min~60min，烘干，得到二氧化硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的一種光控局部電沉積二氧化硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的待沉積基體為半導體材料或覆蓋有半導體材料的導電基體材料，半導體材料為p-Si、p-GaAs、p-Te、p-Se、NiO、Cu₂O、CoO、Cr₂O₃、?SnO、Cu₂S、SnS、Hg₂O、PbO、Ag₂O、MnO、Cu₂S、Pr₂O₃、SnS、Sb₂S₃、CuI、Bi₂Te₃、MoO₂或Hg₂O。

3.根據權利要求2所述的一種光控局部電沉積二氧化硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的導電基體材料為導電玻璃、不銹鋼、低碳鋼、玻碳、金屬及其合金以及導電聚合物。

4.根據權利要求1所述的一種光控局部電沉積二氧化硅薄膜的制備方法，其特征在于所述的光源為鹵素燈、汞燈或氙燈，其光強為0.1mW/cm²~?1W/cm²。

5.一種如權利要求1所述方法制備的光控局部電沉積二氧化硅薄膜的用途，其特征在于用于微電子、光學、無機駐極體、材料強度改性、催化。