[發明專利]核殼Si/Fe2O3納米線陣列的制備方法有效
| 申請號： | 201310065058.X | 申請日： | 2013-02-28 |
| 公開（公告）號： | CN103159501A | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 佘廣為;齊小鵬;師文生 | 申請（專利權）人： | 中國科學院理化技術研究所 |
| 主分類號： | C04B41/50 | 分類號： | C04B41/50;C01G49/06;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信專利代理有限公司 31002 | 代理人： | 李柏 |
| 地址： | 100190 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 核殼 si fe sub 納米 陣列 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種核殼Si/Fe2O3納米線陣列的制備方法，其特征是，所述的制備方法包括以下步驟：
（1）Si納米線的表面吸附Fe(NO)3：將帶有取向垂直于單晶硅片的Si納米線陣列的單晶硅片先在質量濃度為5%的氫氟酸水溶液中進行浸泡，除去Si納米線表面的氧化層；然后再將帶有取向垂直于單晶硅片的Si納米線陣列的單晶硅片放置于含有Fe(NO)3的乙醇溶液中，使Si納米線的表面吸附上Fe(NO)3；
（2）Fe(NO)3高溫熱分解：將步驟（1）得到的帶有表面吸附有Fe(NO)3的Si納米線陣列的單晶硅片置入高溫爐中進行加熱處理，使得Fe(NO)3熱分解為Fe2O3，得到核殼Si/Fe2O3納米線陣列。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是：步驟（1）所述的將帶有取向垂直于單晶硅片的Si納米線陣列的單晶硅片放置于含有Fe(NO)3的乙醇溶液中，含有Fe(NO)3的乙醇溶液中Fe(NO)3的濃度為5～800mM。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征是：步驟（2）所述的進行加熱處理的溫度為400～750℃。
4.根據權利要求1或3所述的制備方法，其特征是：步驟（2）所述的進行加熱處理的時間為1～6小時。
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