[發明專利]一種具有減反射膜的五結級聯光伏電池的制造方法

無效

• 申請號: 201310064939.X
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103165749A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 梅欣;張俊
• 申請（專利權）人: 溧陽市生產力促進中心
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 黃明哲

1.一種具有減反射膜的五結級聯光伏電池的制造方法，其特征在于：該制造方法依次包括如下步驟：

步驟一：在InP襯底（1）上利用MOVCD工藝依次生長ＧａＡｓ子電池（2）和ＧａＩｎＡｓ子電池（3）；

步驟二：采用真空鍍膜機，在ＧａＩｎＡｓ子電池（3）上蒸鍍第一減反射層（4）；

步驟三：利用MOCVD工藝在第一減反射層（4）上依次生長Ｇａ?ＩｎＰ子電池（5）和應變補償ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子電池（6）；

步驟四：利用MOCVD工藝在應變補償ＧａＡｓＰ／ＧａＩｎＡｓ超晶格子電池（6）上生長第二減反射層（7）；

步驟五：采用真空鍍膜機，在第二減反射層（7）上蒸鍍第三減反射層（8）；

步驟六：利用MOCVD工藝在第三減反射層（8）上生長ＧａＩｎ?Ｐ子電池（9）；

步驟七：利用MOCVD工藝在ＧａＩｎＰ子電池（9）上依次生長第四減反射層（10）和第五減反射層（12）；

步驟八：采用真空鍍膜機，在第五減反射層（12）上蒸鍍第六減反射層（13）；

步驟九：在第六減反射層（13）的表面上，使用光刻膠覆蓋住將要形成頂電極（11）的區域之外的區域之后，采用氫氟酸溶液刻蝕第五減反射層（12）和第六減反射層（13），直至露出第四減反射層（10）為止；

步驟十：采用濺射工藝在第四減反射層（10）的將要形成頂電極（11）的區域表面上濺射金屬材料，從而形成所述頂電極（11）；在InP襯底（1）的整個下表面濺射金屬材料，以形成底電極（1）。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

其中，第一減反射層（4）為MgF₂，其折射率為1.36～1.40，厚度為40-60nm；第二減反射層（7）為AlGaInN薄膜，其折射率為3.2～3.4，厚度為30-40nm；第三減反射層（8）為ZnS薄膜，其折射率為2.1-2.3，厚度為50-70nm；第四減反射層（10）為AlGaInN薄膜，其折射率為3.2～3.4，厚度為30-40nm；第五減反射層（12）為Si₃N₄薄膜，其折射率為：2.1-2.4，其厚度為50-60nm；第六減反射層（13）為Ta₂O₅薄膜，其折射率為2.0～2.15，其厚度為80-100nm。

3.如權利要求1或2所述的制造方法，其特征在于：

其中，蒸鍍第一減反射層（4）的方法為：在真空鍍膜機中，蒸鍍溫度為110～130℃，真空度大于10^-5torr，生長速率為0.4～0.5nm/s；

其中，蒸鍍第三減反射層（8）的方法為：在真空鍍膜機中，蒸鍍溫度為100～140℃，真空度大于10^-5torr，生長速率為0.2～0.4nm/s；

其中，蒸鍍第六減反射層（13）的方法為：在真空鍍膜機中，蒸鍍溫度為100～140℃，真空度大于10^-5torr，生長速率為0.2～0.3nm/s；

其中，MOCVD生長第二減反射層（7）和第四反射層（10）的方法為：在MOCVD淀積腔中，淀積溫度為640～680℃，生長速率為0.4～0.6nm/s；

其中，MOCVD生長第五減反射層（12）的方法為：在MOCVD淀積腔中，淀積溫度為660～680℃，生長速率為0.5～0.7nm/s。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于：

采用金屬材料來形成所述底電極和頂電極，該金屬材料例如鋁、銀或金等。