[發明專利]一種PMOS管的摻雜方法

無效

• 申請號: 201310064837.8
• 申請日: 2013-03-01
• 公開（公告）號: CN103177942A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 呂燕翔;居勤坤;史仁龍;萬傳友;彭芳美;周國忠
• 申請（專利權）人: 溧陽市虹翔機械制造有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266;H01L21/336
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司 32112
• 代理人: 朱戈勝

1.一種PMOS管的摻雜方法包括如下步驟：

（1）．在P型半導體襯底上通過雜質擴散的方法形成N型阱；

（2）．在N型阱的表面上形成柵氧化層后，在柵氧化層上淀積硬質掩模層；

（3）．漏區的第一次離子注入：以離子束與水平方向成α的角度對N型阱進行摻雜，摻雜雜質為P型雜質，摻雜劑量為漏區總摻雜劑量的1/2；其中，硬質掩模層的高度為：在進行漏區的第一次離子注入時，通過該硬質掩模層的遮擋，離子束僅能對漏區進行摻雜，而源區無離子注入；

（4）．源區的第一次離子注入：以離子束與水平方向成（90°+α）的角度對N型阱進行摻雜，摻雜雜質為P型雜質，摻雜劑量為源區總摻雜劑量的1/2；其中，硬質掩模層的高度為：在進行源區的第一次離子注入時，通過該硬質掩模層的遮擋，離子束僅能對源區進行摻雜，而漏區無離子注入；

（5）．漏區的第二次離子注入：重復步驟（3），直至漏區完成全部劑量的摻雜；

（6）．源區的第二次離子注入：重復步驟（4），直至源區完成全部劑量的摻雜；

（7）．對完成摻雜后的PMOS管進行進行退火，以激活摻雜雜質。

2.如權利要求1所述的PMOS管的摻雜方法，其特征在于：

其中所述對N型阱進行源區101和漏區102摻雜時，注入離子的種類選擇P型離子進行注入，如硼離子或銦離子；如果采用硼離子，其注入能量為4～10Kev，注入劑量為5×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²；如果采用銦離子，其注入能量為20～40Kev，注入劑量為1×10¹⁵～1×10¹⁶/cm²。