[發(fā)明專利]靜態(tài)存儲(chǔ)單元及其形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310064755.3
• 申請(qǐng)日: 2013-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN104022116B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 洪中山
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/11
• 分類號(hào): H01L27/11;H01L21/8244
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種靜態(tài)存儲(chǔ)單元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括用于形成下拉晶體管的第一區(qū)域和用于形成上拉晶體管的第二區(qū)域；

形成位于所述第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面的第一鰭部，形成位于所述第二區(qū)域的半導(dǎo)體表面的第二鰭部，其中，所述第二鰭部頂部形成有絕緣層；

形成覆蓋所述第一鰭部和第二鰭部之外的半導(dǎo)體襯底表面的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層表面低于所述第一鰭部和第二鰭部頂部表面；

形成位于所述層間介質(zhì)層表面、且橫跨單個(gè)所述第一鰭部的頂部和側(cè)壁的第一柵極結(jié)構(gòu)，形成位于所述層間介質(zhì)層表面、且橫跨單個(gè)所述第二鰭部的頂部和側(cè)壁的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)與第二鰭部的頂部通過絕緣層相隔離；

所述第一鰭部和第二鰭部之間的高度比為0.8:1-2:1；

當(dāng)所述第一鰭部和第二鰭部之間的高度比大于等于0.8:1，小于1:1時(shí)，所述第一鰭部的寬度大于所述第二鰭部高度的0.4倍；

所述層間介質(zhì)層和絕緣層之間的刻蝕選擇比大于1：1；

所述第一鰭部和第二鰭部的形成步驟還包括：首先形成覆蓋所述第二區(qū)域的保護(hù)層，所述保護(hù)層不僅覆蓋第二區(qū)域的層間介質(zhì)層，還覆蓋第二區(qū)域的絕緣層；以所述保護(hù)層為掩膜，去除第一區(qū)域的絕緣層和部分厚度的層間介質(zhì)層，直至暴露出第一區(qū)域的鰭結(jié)構(gòu)；去除所述保護(hù)層，暴露出第二區(qū)域的層間介質(zhì)層和絕緣層；以所述第二區(qū)域的絕緣層為掩膜，刻蝕部分厚度的層間介質(zhì)層以及第一區(qū)域中部分厚度的鰭結(jié)構(gòu)，形成第一鰭部，所述第二區(qū)域的鰭結(jié)構(gòu)為第二鰭部。

2.一種靜態(tài)存儲(chǔ)單元的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括用于形成下拉晶體管的第一區(qū)域和用于形成上拉晶體管的第二區(qū)域；

形成位于所述第一區(qū)域的半導(dǎo)體襯底表面的第一鰭部，形成位于所述第二區(qū)域的半導(dǎo)體表面的第二鰭部，其中，所述第二鰭部頂部形成有絕緣層；

形成覆蓋所述第一鰭部和第二鰭部之外的半導(dǎo)體襯底表面的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層表面低于所述第一鰭部和第二鰭部頂部表面；

形成位于所述層間介質(zhì)層表面、且橫跨單個(gè)所述第一鰭部的頂部和側(cè)壁的第一柵極結(jié)構(gòu)，形成位于所述層間介質(zhì)層表面、且橫跨單個(gè)所述第二鰭部的頂部和側(cè)壁的第二柵極結(jié)構(gòu)，所述第二柵極結(jié)構(gòu)與第二鰭部的頂部通過絕緣層相隔離；

所述第一鰭部和第二鰭部之間的高度比為0.8:1-2:1；

當(dāng)所述第一鰭部和第二鰭部之間的高度比大于等于0.8:1，小于1:1時(shí)，所述第一鰭部的寬度大于所述第二鰭部高度的0.4倍；

所述層間介質(zhì)層和絕緣層之間的刻蝕選擇比大于1：1；

所述第一鰭部和第二鰭部的形成步驟還包括：首先去除部分厚度的層間介質(zhì)層，此時(shí)第一區(qū)域和第二區(qū)域的鰭結(jié)構(gòu)表面還形成有絕緣層；去除部分厚度的層間介質(zhì)層后，再形成覆蓋所述第二區(qū)域的層間介質(zhì)層和絕緣層的保護(hù)層；以所述保護(hù)層為掩膜去除所述第一區(qū)域的絕緣層，暴露出第一區(qū)域的鰭結(jié)構(gòu)；之后再去除所述保護(hù)層，暴露出第二區(qū)域的層間介質(zhì)層和絕緣層；以所述第二區(qū)域的絕緣層為掩膜，刻蝕部分厚度的層間介質(zhì)層以及第一區(qū)域中部分厚度的鰭結(jié)構(gòu)，形成第一鰭部，所述第二區(qū)域的鰭結(jié)構(gòu)為第二鰭部。