[發(fā)明專利]利用激光在低熔點(diǎn)的基底表面制備二氧化鈦薄膜的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310064638.7
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號(hào): CN103132064A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉富榮;韓欣欣;陳繼民
• 申請（專利權(quán)）人: 北京工業(yè)大學(xué)
• 主分類號(hào): C23C20/08
• 分類號(hào): C23C20/08
• 代理公司: 北京思海天達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11203
• 代理人: 劉萍

1.一種利用激光在低熔點(diǎn)的基底表面制備二氧化鈦薄膜的方法，其特征在于，其步驟包括：

（1）選取透過率大于百分之八十五的基底，且要求其熔點(diǎn)在120到265度之間，用超聲波清洗儀清洗并吹干，確保基底表面沒有灰塵；

（2）在納米二氧化鈦粉末中滴入水，制成溶膠，并將它涂覆在基底上；

（3）將涂覆了溶膠的基底放在實(shí)驗(yàn)平臺(tái)上，使涂有二氧化鈦的一面朝下；打開激光器調(diào)整實(shí)驗(yàn)平臺(tái)高度，使激光束的焦點(diǎn)落在基底表面，其中激光器為1064nm的光纖激光器；

（4）繪制出需要在基底上制備二氧化鈦薄膜的形狀，并調(diào)試激光頻率為20HZ，掃描速度在750-1000mm/s之間，掃描間隔在0.003-0.007mm之間，掃描功率在3-4瓦間，制備出二氧化鈦薄膜；

（5）再利用超聲波清洗儀將多余的溶膠清洗掉，得到干凈的鍍有二氧化鈦薄膜的基底。

2.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，基底材料是表面鍍有ITO導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電基底。

3.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，溶膠中二氧化鈦粉末與水的質(zhì)量比在1∶1和1∶2之間。

4.按照權(quán)利要求1的方法，其特征在于，二氧化鈦粉末的粒徑在15-20nm間。