[發(fā)明專利]一種高性能近球形微單晶YAG基發(fā)光材料的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310064558.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103122248A | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉泉林;宋振;廖靜;丁賢林;楊珊珊;劉小浪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京科技大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C09K11/80 | 分類號(hào): | C09K11/80 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 皋吉甫 |
| 地址: | 100083*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 性能 球形 微單晶 yag 發(fā)光 材料 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種LED照明用發(fā)光材料的制造方法。
背景技術(shù)
LED照明器件具有體積小、壽命長、全固態(tài)、無污染、易更換、低能耗等諸多優(yōu)點(diǎn),因此被公認(rèn)為下一代照明源。在全球能源短缺的大背景下,LED照明的推廣與普及尤其具有戰(zhàn)略意義。我國于2003年實(shí)施了“國家半導(dǎo)體照明工程”,在全國范圍內(nèi)大力推廣LED照明。歐盟于2012年、我國將于2016年禁售白熾燈,LED照明產(chǎn)業(yè)將迎來高速增長。
目前主流LED照明的技術(shù)方案為藍(lán)光LED芯片與黃光熒光粉封裝而成照明器件。利用芯片發(fā)出的藍(lán)光與熒光粉吸收藍(lán)光發(fā)出的黃光混合而成白光。因而,LED用熒光粉是組成LED照明器件的重要部分。
LED照明用熒光粉,主要是YAG:Ce黃色熒光粉。
YAG:Ce熒光粉的基質(zhì)是釔鋁石榴石(Y3Al5O12),激活劑為三價(jià)鈰離子。有關(guān)YAG:Ce的發(fā)光特性最早報(bào)道于上世紀(jì)六七十年代,九十年代后日本日亞公司開發(fā)了YAG:Ce涂敷的InGaN照明二極管,實(shí)現(xiàn)了白光照明。隨后國內(nèi)外圍繞該方案做了大量研究工作,如專利CN101838536A,向YAG:Ce中加入Sb、Bi以增強(qiáng)熒光粉的發(fā)光強(qiáng)度;美國專利US6409938利用炭還原法制備熒光粉。這些專利對(duì)于YAG:Ce熒光粉的產(chǎn)品質(zhì)量與合成方案做了改進(jìn)與提高。
目前,工業(yè)化YAG:Ce熒光粉的合成方法為高溫固相法,即需在較高溫度下(1600~1700°C)完成YAG晶粒的生長與三價(jià)鈰離子的還原。長時(shí)間的高溫工作狀態(tài)會(huì)減少爐體的使用壽命,同時(shí),得到的產(chǎn)品團(tuán)聚嚴(yán)重,分散性較差,在封裝過程中易沉降。另外,在YAG:Ce的合成過程中通常混入BaF2作為助熔劑。BaF2毒性較大,對(duì)于人體和環(huán)境有較明顯的危害。對(duì)于含BaF2的產(chǎn)品還需增加酸洗等步驟去除殘余的含Ba化合物,工序較復(fù)雜,生產(chǎn)成本增加。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述缺點(diǎn),本發(fā)明提供了高性能近球形微單晶YAG基發(fā)光材料的制造方法。
本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是:
預(yù)處理合成YAG:Ce發(fā)光材料所需的原料,以降低合成反應(yīng)的勢壘。對(duì)于原料組分之一的Al2O3,在合成前進(jìn)行形貌改善,使其作為高性能近球形微單晶模板參與固相反應(yīng);對(duì)于原料組分Y2O3和CeO2,在合成前預(yù)處理,使Ce以+3價(jià)態(tài)進(jìn)入Y2O3晶格中,得到Y(jié)、Ce分散均勻的(Y1-xCex)2O3固溶體。利用上述處理過的原料合成得到Y(jié)AG:Ce發(fā)光材料。
預(yù)處理Al2O3時(shí),添加AlF3作為形貌改善劑,Al2O3與AlF3摩爾量之比為1:0.001~1:0.1。
預(yù)處理Y2O3和CeO2得到固溶體,其表達(dá)式為(Y1-xCex)2O3,x=0.005~0.2;使得激活劑Ce以正三價(jià)態(tài)分散到Y(jié)2O3晶格中,以提高最終產(chǎn)品的發(fā)光強(qiáng)度。
本發(fā)明所述的高性能近球形微單晶YAG基發(fā)光材料的制造方法如下:
(1)預(yù)處理Al2O3混料:稱取一定量的Al2O3與AlF3,將原料均勻混合,所述Al2O3與AlF3摩爾量之比為1:0.001~1:0.1;將混合均勻的原料裝入坩堝,1300~1500°C,保溫1~4h;
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