[發(fā)明專利]一種利用銀鏡反應(yīng)制備硅表面形貌可控納米銀粒子的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310064543.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103103511A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 姜冰;李美成;白帆;余航 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華北電力大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C18/44 | 分類號(hào): | C23C18/44;C23F1/24;C23F1/02;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 薄觀玖 |
| 地址: | 102206 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 利用 銀鏡 反應(yīng) 制備 表面 形貌 可控 納米 粒子 方法 | ||
1.一種利用銀鏡反應(yīng)制備硅表面形貌可控納米銀粒子的方法,其特征在于,采用無任何添加劑和控制形狀晶種的銀鏡反應(yīng),通過控制反應(yīng)溶液濃度和反應(yīng)溫度直接在硅表面制備納米銀粒子,實(shí)現(xiàn)其形貌可控,并利用催化刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)硅表面不同納米結(jié)構(gòu)的制備,具體步驟如下:
a.?清洗硅片:將硅片依次用丙酮超聲清洗、去離子水沖洗、CP-4A溶液清洗、去離子水沖洗、質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%的氫氟酸溶液浸泡處理,去離子水沖洗,最后得到清潔的硅表面;所述CP-4A溶液為HF、HNO3、CH3COOH和H2O按體積比3:5:3:22配置的溶液;
b.配置銀氨溶液:在濃度為0.002~0.1?mol/L的硝酸銀溶液中,逐漸滴加濃度為0.3?mol/L的氨水,并不斷攪拌,直至所產(chǎn)生的渾濁溶液逐漸變?yōu)槌吻澹?/p>
c.?在銀氨溶液中滴加濃度為0.005~0.01?mol/L的葡萄糖溶液,同時(shí)放入清洗后的硅片,反應(yīng)時(shí)間為5min;?
d.?反應(yīng)溫度的控制:將銀氨溶液分別置于4?℃、25?℃和60?℃的條件下,采用冰浴和水浴控制溫度,可分別獲得長米狀、短棒狀、多面體狀的銀粒子以及絮狀銀;
e.采用納米銀粒子催化刻蝕:把帶有不同形貌納米銀粒子的硅片在刻蝕液中浸泡3?min,其中刻蝕液采用質(zhì)量分?jǐn)?shù)為40%氫氟酸,質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%的過氧化氫和去離子水配置,三種溶液的體積比為?1:5:2;
f.刻蝕完成后的樣品用去離子水沖洗,可獲得圓孔、密集小孔、凹凸孔和方孔硅納米結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述硅片為(100)取向的單晶硅片,其電阻率為7~13?Ω?cm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所有清洗用溶液和反應(yīng)溶液均為分析純。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于:所述去離子水的電阻率為16?Ω·cm以上。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理





