[發(fā)明專(zhuān)利]可調(diào)諧MEMS裝置和可調(diào)諧MEMS裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310064505.X
• 申請(qǐng)日: 2013-02-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103288040A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿爾方斯·德赫;克里斯蒂安·赫聚姆;沃爾夫?qū)た巳R因;馬丁·烏策;斯特凡·巴澤恩
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): B81B7/02
• 分類(lèi)號(hào): B81B7/02;B81B7/00;H04R19/04
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

基板；

可移動(dòng)電極；以及

對(duì)電極，其中，所述可移動(dòng)電極或所述對(duì)電極包括第一區(qū)域和第二區(qū)域，其中，所述第一區(qū)域與所述第二區(qū)域隔離，其中，所述第一區(qū)域被配置為被調(diào)諧，其中，所述第二區(qū)域被配置為提供感測(cè)信號(hào)或控制系統(tǒng)，以及其中，所述可移動(dòng)電極和所述對(duì)電極機(jī)械地連接到所述基板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域被設(shè)定為

調(diào)諧偏壓V_{調(diào)諧}，其中，所述第二區(qū)域被設(shè)定為感測(cè)偏壓V_感測(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域大體上包圍所述第二區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第二區(qū)域的面積大體上大于所述第一區(qū)域的面積。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，所述第一區(qū)域或所述第二區(qū)域包括多個(gè)電極。

6.一種MEMS結(jié)構(gòu)，包括：

基板；

可移動(dòng)電極；以及

對(duì)電極，所述對(duì)電極包括第一對(duì)電極區(qū)域和第二對(duì)電極區(qū)域，其中，所述第一對(duì)電極區(qū)域與所述第二對(duì)電極區(qū)域隔離，以及其中，所述對(duì)電極和所述可移動(dòng)電極機(jī)械地連接至所述基板。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述可移動(dòng)電極包括第一可移動(dòng)電極區(qū)域和第二可移動(dòng)電極區(qū)域，其中，所述第一對(duì)電極區(qū)域?qū)?yīng)于所述第一可移動(dòng)電極區(qū)域，以及其中，所述第二對(duì)電極區(qū)域?qū)?yīng)于所述第二可移動(dòng)電極區(qū)域。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一可移動(dòng)電極區(qū)域和所述第一對(duì)電極區(qū)域被設(shè)定為調(diào)諧偏壓V_{調(diào)諧}，以及其中，所述第二可移動(dòng)電極區(qū)域和所述第二對(duì)電極區(qū)域被設(shè)定為感測(cè)偏壓V_感測(cè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一可移動(dòng)電極區(qū)域被設(shè)置為比所述第二可移動(dòng)電極區(qū)域靠近所述對(duì)電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第二可移動(dòng)電極區(qū)域被設(shè)置為比所述第一可移動(dòng)電極靠近所述對(duì)電極區(qū)域。

11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述基板被設(shè)定為調(diào)諧偏壓V_{調(diào)諧}，以及其中，所述對(duì)電極被設(shè)定為感測(cè)偏壓V_感測(cè)。

12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，基板包括鋸齒狀邊沿。

13.一種MEMS結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體基板；

背板電極；以及

堆疊隔膜，包括第一隔膜和第二隔膜，

其中，所述堆疊隔膜和所述背板被機(jī)械地連接至所述半導(dǎo)體基板。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔膜被設(shè)置在所述堆疊隔膜的中心區(qū)域，以及其中，所述第二隔膜被設(shè)置在所述堆疊隔膜的外圍區(qū)域。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔膜的面積大于所述第二隔膜的面積。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔膜部分覆蓋所述第二隔膜。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步包括介電層，以及其中，在所述堆疊隔膜的可移動(dòng)部分中，所述介電層將所述第一隔膜機(jī)械地連接至所述第二隔膜。

18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔膜被配置為提供感測(cè)信號(hào)，以及其中，所述第二隔膜被配置為被調(diào)諧。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第一隔膜比所述第二隔膜靠近所述背板電極。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的MEMS結(jié)構(gòu)，其中，所述第二隔膜比所述第一隔膜靠近所述背板。