[發明專利]與FINFET工藝相兼容的二極管結構

有效

• 申請號: 201310064398.0
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103855156A
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發明（設計）人: 蔡宗哲;張伊鋒;李介文
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L21/82
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種集成電路，包括：

阱，具有第一摻雜類型，形成在具有所述第一摻雜類型的襯底的上方，所述阱包括鰭；

源極，形成在所述阱的上方，位于所述鰭的第一側，所述源極具有第二摻雜類型；

漏極，形成在所述阱的上方，位于所述鰭的第二側，所述漏極具有所述第一摻雜類型；以及

柵氧化物，形成在所述鰭的上方，所述鰭的回退區將所述柵氧化物與所述源極橫向分隔開。

2.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述柵氧化物僅部分地覆蓋所述鰭的頂面。

3.根據權利要求1所述的集成電路，其中，在所述源極和所述漏極之間的所述鰭中限定溝道。

4.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述柵氧化物覆蓋所述鰭的緊鄰所述漏極的一部分。

5.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述回退區的第一寬度小于所述柵氧化物的第二寬度。

6.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述柵氧化物的外側壁與所述漏極的內側壁垂直對齊。

7.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述源極電連接至超過約三伏特的電壓源。

8.根據權利要求1所述的集成電路，其中，所述漏極和所述柵極電連接至地線。

9.一種集成電路，包括：

阱，具有第一摻雜類型，形成在具有所述第一摻雜類型的襯底的上方，所述阱包括具有鰭式頂面的鰭；

源極和漏極，形成在所述鰭的相對兩側，所述源極具有第二摻雜類型，所述漏極具有所述第一摻雜類型；以及

柵氧化物，覆蓋所述鰭式頂面的第一部分，并留出所述鰭式頂面的第二部分，所述鰭式頂面的第二部分與未被所述柵氧化物覆蓋的回退區相對應。

10.一種形成集成電路的方法，包括：

在襯底的上方形成具有第一摻雜類型的阱，所述襯底具有所述第一摻雜類型，所述阱包括具有鰭式頂面的鰭；

在所述鰭的相對側形成源極和漏極，所述源極具有第二摻雜類型，所述漏極具有所述第一摻雜類型；以及

用柵氧化物覆蓋所述鰭式頂面的第一部分，并留出所述鰭式頂面的第二部分，所述鰭式頂面的第二部分與未被所述柵氧化物覆蓋的回退區相對應。