[發明專利]焊料糊劑、半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201310063995.1
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN103692105A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 木山朋紀;田中軌人;柏木利典;白鳥剛
• 申請（專利權）人: 旭化成電子材料株式會社
• 主分類號: B23K35/24
• 分類號: B23K35/24;H01L21/48;H01L23/492
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種焊料糊劑，其為包含以下成分的焊料糊劑：

(1)Sn顆粒或者Sn合金顆粒，該Sn合金顆粒含有Sn和選自由Ag、Bi、Cu、Ge、In、Sb、Ni、Zn及Au組成的組中的至少一種金屬、并且具有低于240℃的熔點；

(2)Ni合金顆粒，其含有Ni和Sn、并且具有240℃以上的熔點；和

(3)助熔糊，

相對于100質量份的該(1)Sn顆粒或者Sn合金顆粒，該焊料糊劑含有15質量份～42質量份的該(2)Ni合金顆粒。

2.根據權利要求1所述的焊料糊劑，其中，所述(1)Sn顆粒或者Sn合金顆粒以及所述(2)Ni合金顆粒中的Pb的含有率分別為0.1質量%以下。

3.根據權利要求1或2所述的焊料糊劑，其中，所述助熔糊含有多元羧酸。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的焊料糊劑，其中，所述(2)Ni合金顆粒含有20質量%～99質量%的Ni和1質量%～80質量%的Sn。

5.一種金屬面保護基板的制造方法，其包括以下工序：

將權利要求1～4中任一項所述的焊料糊劑涂布到具有金屬面的材料的工序；和

在比所述(1)Sn顆粒或者Sn合金顆粒的熔點高、并且比所述(2)Ni合金顆粒的熔點低的溫度下對該焊料糊劑進行熱處理，在該金屬面上連續且以均勻的厚度形成焊料層的工序，所述焊料層是在由所述(1)Sn顆粒或者Sn合金顆粒形成的基質中分散有所述(2)Ni合金顆粒而成的。

6.根據權利要求5所述的方法，其中，所述金屬面含有選自由Ag、Cu、Ni、Au和Fe組成的組中至少一種金屬。

7.根據權利要求5或6所述的方法，其中，所述(2)Ni合金顆粒的表面被金屬間化合物覆蓋。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述金屬間化合物含有Ni-Sn或Ni-Sn-In。

9.一種金屬面保護基板，其通過權利要求5～8中任一項所述的方法制造。