[發(fā)明專利]靜電卡盤無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310063346.1 | 申請(qǐng)日： | 2013-02-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN103325725A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 成珍一;吳致源;楊鎮(zhèn)喆;芮庚煥 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 高美科株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/683 | 分類號(hào)： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京青松知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人： | 鄭青松 |
| 地址： | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼： | 韓國(guó);KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 靜電 卡盤 | ||
1.一種靜電卡盤，其特征在于，包括：
基底基材；
陶瓷絕緣層，形成于所述基底基材上；
電極層，形成于所述陶瓷絕緣層上來(lái)用于發(fā)生靜電力；
電介質(zhì)層，形成于所述電極層上，具有載置襯底的表面；及
凸起部，從所述電介質(zhì)層的表面凸起，
所述電介質(zhì)層是由氧化鋁構(gòu)成，所述凸起部是由包括鋁及釔的非晶相的氧化物構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，
所述凸起部具有500至700Hv的硬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，
所述凸起部具有半球形結(jié)構(gòu)，并從所述電介質(zhì)層的表面凸起1至200μm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，
所述凸起部具有0.1至2.0%的氣孔率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，
所述凸起部是由包括30至50%的氧化鋁及50至70%的氧化釔的原料粉末形成的非晶相的氧化物構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，
所述凸起部具有4至7μm的表面粗糙度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電卡盤，其特征在于，
所述凸起部通過大氣等離子熱噴涂涂層來(lái)形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
