[發(fā)明專(zhuān)利]涂布裝置及其涂布方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310062544.6
• 申請(qǐng)日: 2013-02-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103116248A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何偉明;朱治國(guó);朱駿;張旭升
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G03F7/16
• 分類(lèi)號(hào): G03F7/16
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 陸花

1.一種涂布裝置，其特征在于，所述涂布裝置包括：

橫臂，所述橫臂用于所述涂布裝置的支撐；

光刻膠噴吐裝置，所述光刻膠噴吐裝置具有活動(dòng)設(shè)置在所述橫臂上的活動(dòng)支架，以及設(shè)置在所述活動(dòng)支架之鄰近所述待涂布半導(dǎo)體晶圓一側(cè)并用于所述光刻膠噴吐的第一噴嘴；以及，

氣體噴吹裝置，所述氣體噴吹裝置進(jìn)一步包括設(shè)置在所述待涂布半導(dǎo)體晶圓一側(cè)的第二噴嘴，并活動(dòng)設(shè)置在所述橫臂上。

2.如權(quán)利要求1所述的涂布裝置，其特征在于，所述氣體噴吹裝置的第二噴嘴與所述光刻膠噴吐裝置之間的距離根據(jù)所述光刻膠的不同黏度、半導(dǎo)體晶圓的表面覆蓋程度，以及膜厚均勻度進(jìn)行設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的涂布裝置，其特征在于，所述氣體噴吹裝置的第二噴嘴呈扁平狀，且所述第二噴嘴的長(zhǎng)邊與所述橫臂的移動(dòng)方向垂直。

4.如權(quán)利要求1所述的涂布裝置，其特征在于，所述氣體噴吹裝置所用氣體為N2、潔凈空氣、惰性氣體的至少其中之一。

5.如權(quán)利要求1所述的涂布裝置的涂布方法，其特征在于，所述涂布方法包括以下步驟：

執(zhí)行步驟S1：提供待涂布光刻膠的半導(dǎo)體晶圓，并固定設(shè)置在旋轉(zhuǎn)臺(tái)上；

執(zhí)行步驟S2：移動(dòng)所述光刻膠噴吐裝置，并將所述光刻膠噴吐裝置設(shè)置在所述待涂布半導(dǎo)體晶圓的中央位置處；

執(zhí)行步驟S3：所述光刻膠噴吐裝置在所述待涂布半導(dǎo)體晶圓的中央位置處噴吐光刻膠；

執(zhí)行步驟S4：旋轉(zhuǎn)所述半導(dǎo)體晶圓，并通過(guò)所述氣體噴吹裝置噴吹氣流，在離心力和氣流推力的作用下，所述光刻膠沿著所述半導(dǎo)體晶圓的表面鋪展以形成所述光刻膠層。

6.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述流經(jīng)第二噴嘴的氣體壓力根據(jù)所述光刻膠的不同黏度、半導(dǎo)體晶圓的表面覆蓋程度，以及膜厚均勻度進(jìn)行設(shè)置。

7.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述氣體噴吹裝置的第二噴嘴與所述待噴涂半導(dǎo)體晶圓之間的角度范圍為0～90°。

8.如權(quán)利要求7所述的涂布方法，其特征在于，所述角度的調(diào)節(jié)根據(jù)所述光刻膠的不同黏度、半導(dǎo)體晶圓的表面覆蓋程度，以及膜厚均勻度進(jìn)行設(shè)置。

9.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述涂布方法適于光刻工藝中所使用的G線（G-line）、I線（I-line）、KrF、ArF光刻膠、抗反材料，以及填充材料中的其中之一。

10.如權(quán)利要求5所述的涂布方法，其特征在于，所述涂布方法適于5英寸、6英寸、8英寸、12英寸的硅片制造設(shè)備。