[發明專利]一種頻率可調的太赫茲波超材料調制器

有效

• 申請號: 201310062527.2
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN103178351A
• 公開（公告）日: 2013-06-26
• 發明（設計）人: 陳長虹;孟德佳
• 申請（專利權）人: 華中科技大學
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 華中科技大學專利中心 42201
• 代理人: 朱仁玲

1.一種頻率可調的太赫茲波超材料調制器，包括周期排列的單元器件，其特征在于，每一個單元器件包括襯底、位于襯底上的功能材料層以及位于所述功能材料層上的金屬諧振單元；當所述功能材料層從絕緣相變成金屬相，所述功能材料層的電導率呈指數倍增加使得金屬諧振單元的中間開口電容的面積增加，金屬諧振單元的諧振頻率隨著電容的增大而變小實現了對單元器件的頻率調諧。

2.如權利要求1所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述功能材料層的材料為釩的氧化物或過渡金屬氧化物。

3.如權利要求2所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述功能材料層的材料為二氧化釩。

4.如權利要求1所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述金屬諧振單元為U型開口諧振環或電場耦合諧振器。

5.如權利要求1所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述襯底為藍寶石、石英或硅材料，厚度為200-450μm。

6.如權利要求3所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述二氧化釩薄膜厚度為0.05-1μm。

7.如權利要求1所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述金屬諧振單元的厚度為0.15-1μm。

8.如權利要求1所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述單元器件工作在太赫茲波段，所述單元器件尺寸小于等于工作波長的十分之一。

9.如權利要求1所述的太赫茲波超材料調制器，其特征在于，所述單元器件尺寸為3-300μm。