[發明專利]一種有機薄膜晶體管及其制備方法和制備裝置

無效

• 申請號: 201310062429.9
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN103151461A
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 邱龍臻;馮翔;王向華;劉則
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/40
• 分類號: H01L51/40;H01L51/10
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 杜秀科

1.一種有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，包括：

在基片上形成柵電極、柵絕緣層、有機半導體層和源漏電極；

其中，形成所述有機半導體層的步驟包括：

將溶解有用于形成所述有機半導體層的有機半導體材料的溶液進行刮涂形成所述有機半導體層。

2.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述將溶解有用于形成所述有機半導體層的有機半導體材料的溶液進行刮涂形成所述有機半導體層的刮涂過程中，刮板與基片的所有接觸點的線速度相同。

3.如權利要求2所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述線速度是選自0.5mm/s~5cm/s中的任一速度。

4.如權利要求3所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述線速度為5mm/s。

5.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，在所述形成有機半導體層之前還包括：在基片上形成親水區域和疏水區域。

6.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述在基片上形成柵電極、柵絕緣層、有機半導體層和源漏電極具體包括：

在基片表面形成柵電極；

在形成有柵電極的基片表面覆蓋柵絕緣層；

在柵絕緣層表面形成有機半導體層；

在有機半導體層表面形成源漏電極。

7.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述在基片上形成柵電極、柵絕緣層、有機半導體層和源漏電極具體包括：

在基片表面形成源漏電極；

在形成有源漏電極的基片表面覆蓋有機半導體層；

在有機半導體層表面形成柵絕緣層；

在柵絕緣層表面形成柵電極。

8.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述溶液中還溶解有高分子聚合物絕緣材料。

9.如權利要求8所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述有機半導體材料為6,13-雙（三異丙基硅烷基乙炔基）并五苯，所述高分子聚合物絕緣材料為聚甲基丙烯酸甲酯或聚苯乙烯，所述6,13-雙（三異丙基硅烷基乙炔基）并五苯和高分子聚合物絕緣材料的質量比為1:1，所述6,13-雙（三異丙基硅烷基乙炔基）并五苯和高分子聚合物絕緣材料在所述溶液中的總質量百分濃度為2%。

10.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述溶液的溶劑為氯苯或二氯苯。

11.如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法，其特征在于，所述基片為硅基片、玻璃基片或塑料基片。

12.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，包括依次排列的柵電極、柵絕緣層、有機半導體層和源漏電極，其中，所述有機半導體層通過如權利要求1-11中任一項所述的方法制備。

13.一種有機薄膜晶體管，其特征在于，包括依次排列的源漏電極、有機半導體層、柵絕緣層和柵電極，其中，所述有機半導體層通過如權利要求1-11中任一項所述的方法制備。

14.一種應用于如權利要求1所述的有機薄膜晶體管的制備方法的制備裝置，其特征在于，包括：刮板和移動控制裝置，其中，所述移動控制裝置用于控制刮板與基片接觸，并控制刮板相對基片移動；

通過刮板將溶解有用于形成有機半導體層的有機半導體材料的溶液刮涂在基片上。

15.如權利要求14所述的制備裝置，其特征在于，所述移動控制裝置包括：

固定刮板的固定器和放置基片的傳送帶。

16.如權利要求14所述的制備裝置，其特征在于，所述移動控制裝置包括：

移動刮板的移動器和放置基片的平臺。

17.如權利要求14所述的制備裝置，其特征在于，所述刮板為硅橡膠刮板。

18.如權利要求14所述的制備裝置，其特征在于，在刮板朝向基片的一面設置有滴液口。