[發明專利]一種光刻版結構有效
| 申請號： | 201310062258.X | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN103091974A | 公開（公告）日： | 2013-05-08 |
| 發明（設計）人： | 鄭剛;陳力鈞;朱駿;張旭升 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/42 | 分類號： | G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 光刻 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種光刻版結構，其特征在于包括：外框區域以及圖案區域；
其中，所述外框區域布置在所述圖案區域外周從而包圍所述圖案區域；
其中，所述圖案區域用于布置集成電路圖案；
并且，所述外框區域的四個邊分別布置了一個或者多個撥片，而且，所述撥片能夠在其所布置的所述外框區域的邊的延伸方向上滑動；
而且，在每個撥片中在沿其所布置的所述外框區域的邊的延伸方向上放置了多個對準標記圖案。
2.根據權利要求1所述的光刻版結構，其特征在于，每個撥片的多個對準標記圖案中的至少一部分具有不同圖案。
3.根據權利要求1所述的光刻版結構，其特征在于，每個撥片的多個對準標記圖案各不相同。
4.根據權利要求1至3之一所述的光刻版結構，其特征在于，所述外框區域中還放置了條形碼。
5.根據權利要求1至3之一所述的光刻版結構，其特征在于，所述外框區域的相對邊上的撥片對稱布置。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
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G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
