[發明專利]基板及蓄電池

有效

• 申請號: 201310062027.9
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN103367706A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 佐佐木亮人;中村美保;中具道;德野陽子;大圖秀行
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝;東芝高新材料公司
• 主分類號: H01M4/131
• 分類號: H01M4/131;H01M4/48;H01M10/0525
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 張楠

1.一種基板，其包含含有氧化鎢粉末的半導體層，所述氧化鎢粉末在拉曼光譜分析中，在268～274cm^-1的范圍具有第一峰值、在630～720cm^－1的范圍具有第二峰值及在800～810cm^-1的范圍具有第三峰值，所述半導體層的厚度為1μm以上，而且，空隙率為20vol%以上且80vol%以下。

2.根據權利要求1所述的基板，其中，所述氧化鎢粉末的BET比表面積平均為0.1m²/g以上。

3.根據權利要求1～2中任一項所述的基板，其中，所述半導體層的厚度為5μm以上。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的基板，其中，在所述氧化鎢粉末的表面的至少一部分上形成有被膜。

5.根據權利要求4所述的基板，其中，所述被膜含有選自Y₂O₃、TiO₂、ZnO、SnO₂、ZrO₂、MgO、Al₂O₃，CeO₂、Bi₂O₃、Mn₃O₄、Tm₂O₃、Ta₂O₅、Nb₂O₅、La₂O₃及ITO之中的至少1種。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的基板，其中，所述半導體層含有選自金屬氧化物粉末、金屬硼化物粉末、金屬氟化物粉末、碳酸鹽粉末、碳粉末、金屬碳化物粉末及金屬粉末之中的至少1種的第二粉末。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的基板，其中，所述半導體層的空隙的平均尺寸為5nm以上。

8.根據權利要求1～6中任一項所述的基板，其中，所述半導體層的空隙的平均尺寸為7nm以上且20nm以下。

9.根據權利要求1～7中任一項所述的基板，其中，所述半導體層的厚度為5μm以上且300μm以下，而且，所述半導體層的空隙率為40vol%以上且70vol%以下。

10.一種蓄電池，其含有：

權利要求1～9中任一項所述的基板；

對置電極；以及

填充在所述蓄電池用基板的所述半導體層與所述對置電極之間的電解質組合物。

11.根據權利要求10所述的蓄電池，其中，蓄電功能為100C/m²以上。

12.根據權利要求10～11中任一項所述的蓄電池，其中，所述電解質組合物含有碘和碘化物。

13.權利要求12所述的蓄電池，其中，所述電解質組合物中的所述碘的濃度在0.01～5mol/L的范圍，所述碘化物的濃度在0.5～5mol/L的范圍。

14.根據權利要求10～13中任一項所述的蓄電池，其中，所述電解質組合物含有叔丁基吡啶。