[發(fā)明專利]固體拍攝裝置無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310061506.9 | 申請日: | 2013-02-27 |
| 公開(公告)號: | CN103515402A | 公開(公告)日: | 2014-01-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 大石周 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社東芝 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 劉瑞東;陳海紅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 固體 拍攝 裝置 | ||
1.一種固體拍攝裝置,其特征在于,具備:
光電變換元件,其設(shè)置在半導(dǎo)體基板中被元件分離區(qū)域包圍的單位單元區(qū)域內(nèi);
層間絕緣膜,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的第1面?zhèn)龋季€;
濾色器,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相對向的第2面?zhèn)龋?/p>
微透鏡,其在上述半導(dǎo)體基板的上述第2面?zhèn)龋O(shè)置在上述濾色器上;
內(nèi)部透鏡,其在相對于上述半導(dǎo)體基板的第2面的垂直方向上,設(shè)置在上述光電變換元件和上述濾色器之間;以及
遮光層,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的上述第2面?zhèn)龋谙鄬τ谏鲜霭雽?dǎo)體基板的第2面的平行方向上與上述內(nèi)部透鏡相鄰,
上述遮光層是包含SiGe的層,
上述遮光層的厚度比上述內(nèi)部透鏡的厚度薄。
2.一種固體拍攝裝置,其特征在于,具備:
光電變換元件,其設(shè)置在半導(dǎo)體基板中被元件分離區(qū)域包圍的單位單元區(qū)域內(nèi);
層間絕緣膜,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的第1面?zhèn)龋季€;
濾色器,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的與上述第1面相對向的第2面?zhèn)龋?/p>
微透鏡,其在上述半導(dǎo)體基板的上述第2面?zhèn)龋O(shè)置在上述濾色器上;
內(nèi)部透鏡,其在相對于上述半導(dǎo)體基板的第2面的垂直方向上,設(shè)置在上述光電變換元件和上述濾色器之間;以及
遮光層,其設(shè)置在上述半導(dǎo)體基板的上述第2面?zhèn)龋谙鄬τ谏鲜霭雽?dǎo)體基板的第2面的平行方向上與上述內(nèi)部透鏡相鄰。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的固體拍攝裝置,其特征在于,
上述遮光層是包含SiGe的層,上述半導(dǎo)體基板是Si基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的固體拍攝裝置,其特征在于,
上述遮光層的厚度比上述內(nèi)部透鏡的厚度薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的固體拍攝裝置,其特征在于,
上述濾色器側(cè)的上述遮光層的第1尺寸比上述半導(dǎo)體基板側(cè)的上述遮光層的第2尺寸小,
上述濾色器側(cè)的上述內(nèi)部透鏡的第3尺寸比上述半導(dǎo)體基板側(cè)的上述內(nèi)部透鏡的第4尺寸大。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





