[發明專利]具有低溫n型插入層的氮化鎵系發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 201310061427.8
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN103137808A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 馬平;王軍喜;王國宏;曾一平;李晉閩
• 申請（專利權）人: 中國科學院半導體研究所
• 主分類號: H01L33/12
• 分類號: H01L33/12;H01L33/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種氮化鎵系發光二極管，其包括：?

襯底；?

氮化鎵成核層，該氮化鎵成核層制作在襯底上；?

緩沖層，該緩沖層制作在所述氮化鎵成核層上；?

n型接觸層，該n型接觸層制作在該緩沖層上，該n型接觸層由n型氮化鎵構成；?

n型插入層，該n型插入層制作在n型接觸層內部，其上下均為n型接觸層；?

活性發光層，該活性發光層制作在n型接觸層上并覆蓋所述n型接觸層的部分表面；?

負電極，該負電極制作在n型接觸層未被所述活性發光層覆蓋的表面上，且其位于n型插入層的下方；?

p型電子阻擋層，該p型電子阻擋層制作在活性發光層上；?

p型接觸層，該p型接觸層制作在p型電子阻擋層上，該p型接觸層由p型氮化鎵構成；?

正電極，該正電極制作在p型接觸層上。?

2.如權利要求1所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在于：所述n型插入層為AlxGal-xN、InyAl1-yN和AlaInbGal-a-bN其中之一，其中0≤x≤1，0≤y≤1，0≤a＜1，0≤b＜1。?

3.如權利要求1所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在于：所述n型插入層的生長溫度為500℃-1000℃，其厚度為50-100nm。?

4.如權利要求1所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在于：所述n型插入層可以為一層或多層結構。?

5.如權利要求1所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在于：所述活性發光層由銦鎵氮薄層和氮化鎵薄層交互層疊形成的多周期的量子阱結構構成。?

6.如權利要求5所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在于：所述P型電子阻擋層的下表面為所述活性發光層的氮化鎵薄層，且其由鋁鎵氮構?成。?

7.如權利要求1所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在在于，襯底6H-SiC、4H-SiC或晶格常數接近于氮化物半導體的單晶氧化物所制成。?

8.如權利要求1所述的氮化鎵系發光二極管，其特征在在于，所述n型插入層為低溫插入層。?

9.一種氮化鎵系發光二極管的制作方法，其包括：?

步驟1、在襯底上制作氮化鎵成核層；?

步驟2、在所述氮化鎵成核層上制作緩沖層；?

步驟3、在緩沖層上制作n型接觸層；?

步驟4、在n型接觸層內部制作n型插入層，；?

步驟5、在n型接觸層14上制作活性發光層并覆蓋所述n型接觸層的部分表面；?

步驟6、在活性發光層上制作鋁鎵氮p型電子阻擋層；?

步驟7、在p型電子阻擋層上制作氮化鎵p型接觸層；?

步驟8、在n型接觸層未被所述活性發光層覆蓋的表面上制作負電極，且所述負電極位于所述n型插入層的下方；?

步驟9、在p型接觸層上制作正電極，完成氮化鎵系發光二極管的制作。?

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述n型插入層為一層或多層，且每層之間由n型接觸層隔開；所述n型插入層的生長溫度為500℃-1000℃800，其厚度為50-10080nm。?