[發(fā)明專利]微機(jī)械傳感器裝置和相應(yīng)制造方法以及相應(yīng)的應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310061342.X | 申請日： | 2013-02-27 |
| 公開（公告）號： | CN103288037A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | G.比肖平克;C.舍林 | 申請（專利權(quán)）人： | 羅伯特·博世有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 丁永凡;王忠忠 |
| 地址： | 德國斯*** | 國省代碼： | 德國;DE |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微機(jī) 傳感器 裝置 相應(yīng) 制造 方法 以及 應(yīng)用 | ||
1.一種微機(jī)械傳感器裝置，具有：
襯底（S1；S1；S1’），其具有前側(cè)（V；V1；V1’）和背側(cè)（R；R1；R1’）；
其中在前側(cè)（V；V1；V1’）上集成第一微機(jī)械傳感器裝置（M1；M11；M11’），而在背側(cè)（R；R1；R1’）上集成第二微機(jī)械傳感器裝置（M2；M12；M12’）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微機(jī)械傳感器裝置，其中至少一個穿通接觸孔（D）從第一微機(jī)械傳感器裝置（M1）通過襯底（S）延伸至第二微機(jī)械傳感器裝置（M2）。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的微機(jī)械傳感器裝置，其中第一微機(jī)械傳感器裝置（M11）包括慣性傳感器，而第二微機(jī)械傳感器裝置（M12）包括磁場傳感器。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的微機(jī)械傳感器裝置，其中至少另一襯底（S2；S2’）接合到前側(cè)（V；V1；V1’）和/或背側(cè)（R；R1；R1’）上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微機(jī)械傳感器裝置，其中所述另一襯底（S2；S2’）是帽形晶片。
6.一種用于制造微機(jī)械傳感器裝置的方法，具有如下步驟：
第一步驟（SS1），其中在襯底（S，S1；S1’）的前側(cè)（V；V1；V1’）上集成第一微機(jī)械傳感器裝置（M1；M11；M11’;）；
第二步驟（SS2），其中對襯底（S）進(jìn)行轉(zhuǎn)動，以及
第三步驟（SS3），其中在襯底（S；S1；S1’）的背側(cè)（R；R1；R1’）上集成第二微機(jī)械傳感器裝置（M2；M12；M12’）。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在第四步驟（SS4）中至少另一襯底（S2；S2’）接合到前側(cè)（V；V1；V1’）和/或背側(cè)（R；R1；R1’）上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在第一步驟（SS1）期間將背側(cè)（R；R1；R1’）鈍化。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中在第三步驟（SS3）期間將前側(cè)（V；V1；V1’）鈍化。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至5之一所述的微機(jī)械傳感器裝置的一種應(yīng)用，該應(yīng)用是將所述的微機(jī)械傳感器裝置使用在用于導(dǎo)航的器件中。
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