[發(fā)明專利]雙層氮化硅減反射膜及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310060954.7
• 申請日: 2013-02-27
• 公開（公告）號: CN103117310A
• 公開（公告）日: 2013-05-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戴熙明;陳博;武俊喜
• 申請（專利權(quán)）人: 上海艾力克新能源有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種雙層氮化硅減反射膜，其特征在于，所述雙層氮化硅減反射膜由上、下兩層氮化硅膜構(gòu)成，所述下層氮化硅膜厚度為10nm～15nm，折射率為2.2～2.5，所述上層氮化硅膜厚度為70nm～75nm，折射率為2.0～2.05。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層氮化硅減反射膜，其特征在于，所述雙層氮化硅減反射膜的總厚度為85nm～90nm，總折射率為2.05～2.2。

3.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙層氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，所述制備方法為：取拋光單晶硅片，設(shè)定沉積溫度、沉積壓強(qiáng)和沉積功率恒定，采用PEVCD工藝在所述拋光單晶硅片的行進(jìn)方向上設(shè)定兩組氨氣與硅烷的氣流量比參數(shù)和沉積時間，制得所述雙層氮化硅減反射膜；所述氨氣與硅烷的氣流量比參數(shù)的設(shè)定是先小后大的。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙層氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，所述兩組氨氣與硅烷的氣流量比分別為(4～4.5)∶1和(8～9)∶1。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙層氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，所述氨氣與硅烷的氣流量比為(4～4.5)∶1時對應(yīng)的沉積時間為70～80s；所述氨氣與硅烷的氣流量比為(8～9)∶1時對應(yīng)的沉積時間為600～650s。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙層氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，所述硅烷的流量為800～850ml/min。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的雙層氮化硅減反射膜的制備方法，其特征在于，所述沉積溫度為400～450℃，所述沉積壓強(qiáng)為1300～1800mtorr，所述沉積功率為5000～6000W。