[發明專利]電可擦可編程只讀存儲器

在審

• 申請號: 201310060615.9
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN103165621A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 楊光軍;胡劍
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種電可擦可編程只讀存儲器，至少包括：

半導體襯底；

于該半導體襯底上設置深N阱；

于該深阱上設有P阱，該P阱上具有間隔設置的源極區域和漏極區域及溝道區，該溝道區位于該源極區域與該漏極區域之間；

第一浮柵，設置于該溝道區和該源極區域上方，第二浮柵，設置于該溝道區和該漏極區域上方，該第一浮柵和該第二浮柵分別構成第一存儲位單元和第二存儲位單元；

第一控制柵和第二控制柵，分別設置于該第一浮柵和該第二浮柵上方；以及字線，位于該溝道區上方并位于該第一浮柵和第二浮柵之間。

2.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：該半導體襯底為P型襯底。

3.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行擦除操作時，對選中單元，該第一控制柵及該第二控制柵電壓為0，該第一位線及該第二位線為0，對該字線施加的電壓范圍是[5～9V]，對該P阱施加的電壓范圍是[-5～-9V]，對該深N阱施加的電壓范圍是[5～8V]。

4.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行擦除操作時，對未選中單元，對P阱施加的電壓范圍是[5～8V]。

5.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進行編程操作時，對選中單元，該第一控制柵施加電壓范圍為5～8V，該第二控制柵施加電壓范圍為3～5V，該第一位線施加電壓范圍為5～7V，及該第二位線施加電流范圍為1～5uA，對該字線施加的電壓范圍是[1～2V]，對該P阱施加的電壓0V，對該深N阱施加的電壓范圍是0V。

6.如權利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)進行編程和讀取操作時，對所有P阱施加的電壓是0V，N阱施加的電壓是0V。