[發(fā)明專利]電可擦可編程只讀存儲器

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310060615.9
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN103165621A
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊光軍;胡劍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種電可擦可編程只讀存儲器，至少包括：

半導(dǎo)體襯底；

于該半導(dǎo)體襯底上設(shè)置深N阱；

于該深阱上設(shè)有P阱，該P(yáng)阱上具有間隔設(shè)置的源極區(qū)域和漏極區(qū)域及溝道區(qū)，該溝道區(qū)位于該源極區(qū)域與該漏極區(qū)域之間；

第一浮柵，設(shè)置于該溝道區(qū)和該源極區(qū)域上方，第二浮柵，設(shè)置于該溝道區(qū)和該漏極區(qū)域上方，該第一浮柵和該第二浮柵分別構(gòu)成第一存儲位單元和第二存儲位單元；

第一控制柵和第二控制柵，分別設(shè)置于該第一浮柵和該第二浮柵上方；以及字線，位于該溝道區(qū)上方并位于該第一浮柵和第二浮柵之間。

2.如權(quán)利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：該半導(dǎo)體襯底為P型襯底。

3.如權(quán)利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進(jìn)行擦除操作時，對選中單元，該第一控制柵及該第二控制柵電壓為0，該第一位線及該第二位線為0，對該字線施加的電壓范圍是[5～9V]，對該P(yáng)阱施加的電壓范圍是[-5～-9V]，對該深N阱施加的電壓范圍是[5～8V]。

4.如權(quán)利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進(jìn)行擦除操作時，對未選中單元，對P阱施加的電壓范圍是[5～8V]。

5.如權(quán)利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器進(jìn)行編程操作時，對選中單元，該第一控制柵施加電壓范圍為5～8V，該第二控制柵施加電壓范圍為3～5V，該第一位線施加電壓范圍為5～7V，及該第二位線施加電流范圍為1～5uA，對該字線施加的電壓范圍是[1～2V]，對該P(yáng)阱施加的電壓0V，對該深N阱施加的電壓范圍是0V。

6.如權(quán)利要求1所述的一種電可擦可編程只讀存儲器，其特征在于：在對該電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)進(jìn)行編程和讀取操作時，對所有P阱施加的電壓是0V，N阱施加的電壓是0V。