[發(fā)明專利]形成掩埋導(dǎo)電層方法、材料厚度控制法、形成晶體管方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310060514.1
• 申請日: 2004-12-28
• 公開（公告）號: CN103199017A
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 阿肖克·沙拉;艾倫·埃爾班霍威;克里斯托弗·B·科康;史蒂文·P·薩普;彼得·H·威爾遜;巴巴克·S·薩尼
• 申請（專利權(quán)）人: 飛兆半導(dǎo)體公司
• 主分類號: H01L21/3205
• 分類號: H01L21/3205;H01L21/336
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;李靜

1.一種用于在形成在半導(dǎo)體基板上的溝槽內(nèi)形成掩埋導(dǎo)電層的方法，所述方法包括：

在所述半導(dǎo)體基板和所述溝槽的上表面上形成第一介電材料層；

在所述第一介電材料層上形成第一導(dǎo)電材料層；

圖樣化所述第一介電材料層和所述第一導(dǎo)電材料層以形成第一導(dǎo)電電極，所述第一導(dǎo)電電極包括在所述溝槽內(nèi)沿著所述溝槽的縱軸延伸的第一部分以及在所述溝槽的第一末端處的所述基板的頂部上延伸的第二部分；

在所述第一導(dǎo)電材料層上形成第二介電材料層；

在所述第二導(dǎo)電材料層上形成第二介電材料層；以及

圖樣化所述第二介電材料層和所述第二導(dǎo)電材料層以形成第二導(dǎo)電電極，所述第二導(dǎo)電電極具有在所述溝槽內(nèi)并沿所述溝槽的縱軸延伸的第一部分以及在所述第一導(dǎo)電電極的所述第二部分的頂部上延伸的第二部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括：

通過在所述第一導(dǎo)電電極的所述第二部分中的所述第一介電層中的開口接觸所述第一導(dǎo)電層；以及

通過在所述第二導(dǎo)電電極的所述第二部分中的所述第二介電層中的開口接觸所述第二導(dǎo)電層。

3.一種用于在形成在半導(dǎo)體基板上的溝槽內(nèi)形成掩埋導(dǎo)電層的方法，所述方法包括：

在所述半導(dǎo)體基板和所述溝槽的上表面上形成第一介電材料層；

在所述第一介電材料層上形成第一導(dǎo)電材料層；

圖樣化所述第一介電材料層和所述第一導(dǎo)電材料層以形成第一導(dǎo)電電極，所述第一導(dǎo)電電極具有在所述溝槽內(nèi)沿著所述溝槽的縱軸延伸的第一基本水平部分以及延伸到所述基板的所述上表面的第二基本垂直部分；

在所述第一導(dǎo)電材料層上形成第二介電材料層；

在所述第二導(dǎo)電材料層上形成第二介電材料層；以及

圖樣化所述第二介電材料層和所述第二導(dǎo)電材料層以形成第二導(dǎo)電電極，所述第二導(dǎo)電電極具有在所述溝槽內(nèi)沿著所述溝槽的縱軸延伸的第一部分以及基本垂直延伸到所述基板的所述上表面的第二部分。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括在所述基板的表面處接觸所述第一導(dǎo)電電極和第二導(dǎo)電電極的所述第二部分。

5.一種用于在半導(dǎo)體基板中的多個溝槽內(nèi)形成掩埋導(dǎo)電層的方法，包括：

沿著所述多個溝槽中的每一個的側(cè)壁和底部設(shè)置第一介電材料層；

將所述多個溝槽基本上填充有第一導(dǎo)電材料層；

在所述多個溝槽中所選的一個溝槽上施加掩模層；

將在剩下的多個溝槽中的所述第一導(dǎo)電材料層和所述第一介電材料層凹進(jìn)；

去除所述掩模層；

在包括所述剩下的多個溝槽的所述上表面和側(cè)壁的所述基板的所述上表面上形成第二介電材料層；

將所述剩下的多個溝槽的上部基本上填充有第二導(dǎo)電材料層；以及

用第三介電材料層覆蓋所述第二導(dǎo)電材料層。

6.一種用于在半導(dǎo)體基板中的多個溝槽內(nèi)形成掩埋導(dǎo)電層的方法，包括：

沿著所述多個溝槽中的每一個的側(cè)壁和底部設(shè)置第一介電材料層；

將所述多個溝槽基本上填充有第一導(dǎo)電材料層；

在每個露出第一導(dǎo)電材料層的一部分的溝槽內(nèi)，將所述第一介電材料層從所述基板的上表面和所述多個溝槽的所述側(cè)壁去除到第一深度，所述第一導(dǎo)電材料層所露出的部分在每個溝槽內(nèi)形成兩個槽；

應(yīng)用第二介電材料層覆蓋所述基板的所述上表面、每個溝槽的所述側(cè)壁以及所述第一導(dǎo)電材料層的所述露出部分的所述表面；

將每個溝槽內(nèi)的所述兩個槽基本上填充有第二導(dǎo)電材料層；以及

用第三介電材料層覆蓋所述第二導(dǎo)電材料層。

7.一種用于控制外延生長的半導(dǎo)體材料的厚度的方法，包括：

提供由第一類型摻雜物摻雜的半導(dǎo)體基板；

在所述半導(dǎo)體基板上形成緩沖層，將所述緩沖層摻雜第二類型的摻雜物，所述第二類型的摻雜物的擴(kuò)散率比所述第一類型摻雜物的擴(kuò)散率小；以及

在所述緩沖層上形成期望厚度的所述外延生長層。

8.一種用于控制外延生長的半導(dǎo)體材料的厚度的方法，包括：

提供由第一類型摻雜物摻雜的半導(dǎo)體基板；

在所述半導(dǎo)體基板上形成勢壘層，所述勢壘層具有包括碳的混合物；以及

在所述緩沖層上形成期望厚度的外延生長層，

其中，所述勢壘層用于阻止所述第一類型的所述摻雜物從所述基板向上擴(kuò)散到所述外延生長層中。