[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310059602.X
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN104009166A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

技術領域

本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產生光子，釋放光能。

在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差（如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達玻璃，就會發(fā)生全反射），引起了全反射的損失，從而導致整體出光性能較低。

發(fā)明內容

基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極由依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層組成，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數為-4.0eV~-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質量百分數為1%～10%。

所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nm~2nm，金屬層的厚度為5nm～30nm，第二鑭系氧化物層的厚度為1nm~10nm。

所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。

所述發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

所述電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在玻璃基底的背面蒸鍍陽極，陽極包括依次層疊的第一鑭系氧化物層、金屬層和第二鑭系氧化物層，其中，所述第一鑭系氧化物和第二鑭系氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬層包括第一金屬層以及摻雜在所述第一金屬層中的第二金屬層組成，其中，第一金屬層選自銀、鋁、鉑及金中的至少一種，所述第二金屬層為功函數為-4.0eV~-2.0eV的金屬，第二金屬層占所述第一金屬層的質量百分數為1%～10%，及

在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

所述第一鑭系氧化物層的厚度為0.5nm~2nm，金屬層的厚度為5nm～30nm，第二鑭系氧化物層的厚度為1nm~10nm。

所述第二金屬層的材料選自為鎂、鈣、銫及鐿中至少一種。

所述蒸鍍在真空壓力為5×10^-5Pa~2×10^-3Pa下進行，蒸鍍速率為0.1nm/s~10nm/s。

上述有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在制備疊成陽極消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高器件的導電性，且功函數較低，降低界面勢壘，提高空穴注入能力，這種結構可以極大的提高有機電致發(fā)光器件的出光效率。

附圖說明

圖1為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖；

圖2為一實施方式的有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；

圖3為實施例1制備的有機電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關系圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對有機電致發(fā)光器件及其制備方法進一步闡明。

請參閱圖1，一實施方式的有機電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底20、陽極30、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。

玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號為N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A或N-LASF44的玻璃。