[發(fā)明專利]一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310059582.6
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN104009178A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的光取出層、玻璃基底、陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述光取出層包括聚合物層和散射層，所述聚合物層的材質(zhì)包括聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽，所述散射層的材質(zhì)為折射率大于2.0的金屬氧化物按照質(zhì)量分數(shù)10~50%摻雜到硅氧化物中形成的混合物。

2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩和所述聚苯磺酸鹽的重量比為2:1~6:1。

3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物對光的透過率大于70%。

4.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為二氧化鉿、五氧化二鈮或五氧化二鉭。

5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硅氧化物為二氧化硅或一氧化硅。

6.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述玻璃基底為折射率高于1.8的光學玻璃，所述光學玻璃對波長為400~700nm的可見光的透過率大于90%。

7.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供清潔的玻璃基底；

在所述玻璃基底的一面制備光取出層，所述光取出層包括聚合物層和散射層：

所述聚合物層的制備步驟為，將聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽水溶液旋涂在所述玻璃基底表面上，然后在50~200℃條件下烘干10~30min；所述聚3,4-二氧乙烯噻吩和聚苯磺酸鹽水溶液中聚3,4-二氧乙烯噻吩的質(zhì)量分數(shù)為1%~5%，所述聚3,4-二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的重量比為2:1~6:1；

所述散射層的制備步驟為，將折射率大于2.0的金屬氧化物按照質(zhì)量分數(shù)10~50%摻雜到硅氧化物中形成的混合物通過電子束蒸鍍到所述聚合物層表面；

再在所述玻璃基底另一面磁控濺射制備陽極，所述磁控濺射的條件為加速電壓300~800V，磁場50~200G，功率密度1~40W/cm²；

在陽極上依次熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5×10^-5~2×10^-3Pa，速度0.1~1nm/s；

在所述電子注入層上熱阻蒸鍍制備陰極，所述熱阻蒸鍍條件為壓強5×10^-5~2×10^-3Pa，速度1~10nm/s。

8.如權(quán)利要求7所述的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述旋涂條件為轉(zhuǎn)速2000~6000rpm，時間10~30s。

9.如權(quán)利要求7所述的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述折射率大于2.0的金屬氧化物為二氧化鉿、五氧化二鈮或五氧化二鉭。

10.如權(quán)利要求7所述的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述硅氧化物為二氧化硅或一氧化硅。