[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310059565.2
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN104009177A
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;馮小明
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強

1.一種有機電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、摻雜空穴層、發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述摻雜空穴層的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4′′-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質量百分數為1%～5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質量百分數為10%～40%。

2.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述摻雜空穴層的厚度為10nm~80nm。

3.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。

4.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述發光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的有機電致發光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

6.一種有機電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在玻璃基底的背面磁控濺射制備陽極，所述陽極的表面熱蒸鍍摻雜空穴層，所述摻雜空穴層的材料包括金屬酞菁化合物及摻雜在所述金屬酞菁化合物中的金屬氧化物及空穴傳輸材料，所述金屬酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鋅、酞菁鎂及酞菁釩中的至少一種，所述金屬氧化物選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述空穴傳輸材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、4,4',4′′-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯苯二胺中的至少一種，所述金屬氧化物占所述金屬酞菁化合物的質量百分數為1%～5%，所述空穴傳輸材料占所述金屬酞菁化合物的質量百分數為10%～40%，及

在所述摻雜空穴層的表面依次蒸鍍制備發光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。

7.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述摻雜空穴層的厚度為10nm~80nm。

8.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述玻璃基底的折射率為1.8~2.2。

9.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述摻雜空穴層采用熱蒸鍍制備，所述熱蒸鍍在真空壓力為5×10^-5Pa~2×10^-3Pa下進行，所述金屬氧化物和所述金屬酞菁化合物的蒸鍍速率為1nm/s~10nm/s，所述空穴傳輸材料的蒸鍍速率為0.1nm/s~1nm/s。

10.根據權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法，其特征在于：所述磁控濺射在真空壓力為5×10^-5Pa~2×10^-3Pa下進行，加速壓力為300V～800V，磁場為50G～200G，功率密度為1W/cm²~40W/cm²。