[發明專利]含有高分子電解質的溶液和固體高分子電解質膜的制造方法

無效

• 申請號: 201310059517.3
• 申請日: 2013-02-26
• 公開（公告）號: CN103709568A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 井上祐一;本多政敏;關根了;菊池稔
• 申請（專利權）人: 旭化成電子材料株式會社
• 主分類號: C08L29/10
• 分類號: C08L29/10;C08L27/12;C08L79/04;C08L65/00;C08K5/17;C08K3/22;H01M8/10
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;龐東成

1.一種含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，該制造方法包括第一工序，在第一工序中，至少將作為A成分的全氟碳磺酸樹脂、作為B成分的胺化合物、作為C成分的聚唑化合物和作為D成分的堿金屬氫氧化物溶解或懸浮在質子性溶劑中。

2.如權利要求1所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，在所述第一工序后包括對所得到的溶液進行離子交換處理的第二工序。

3.如權利要求1或2所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，在所述第一工序中，將所述C成分和所述D成分溶解或懸浮在質子性溶劑中，然后在所得到的溶液中添加所述A成分和所述B成分并進行混合。

4.如權利要求1～3的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述第二工序中的離子交換處理為陽離子交換樹脂處理或使用陽離子交換膜進行的滲析。

5.如權利要求1～4的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述離子交換處理為使所述溶液通過含有陽離子交換樹脂的陽離子交換樹脂塔的處理。

6.如權利要求5所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述離子交換處理為使所述溶液從所述陽離子交換樹脂塔的下部通過、并由上部抽出的處理。

7.如權利要求5或6所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，使所述溶液從所述陽離子交換樹脂塔的下部通過時的壓力為0.01MPa～1.0MPa。

8.如權利要求1～7的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述溶液的粘度為1cp～100cp。

9.如權利要求1～8的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述A成分與所述C成分的質量比A/C為2.3～199。

10.如權利要求1～9的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述A成分與所述C成分的總質量相對于所述溶液整體為0.5質量%～30質量%。

11.如權利要求1～10的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述D成分的量相對于所述C成分中的氮原子的當量數為1倍當量～100倍當量。

12.如權利要求1～11的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述A成分的離子交換容量為0.5meq/g～3.0meq/g。

13.如權利要求1～12的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述A成分為含有-(CF₂-CF₂)-所表示的重復單元與-(CF₂-CF(-O-(CF₂CFXO)n-(CF₂)m-SO₃H))-所表示的重復單元的共聚物，式-(CF₂-CF(-O-(CF₂CFXO)n-(CF₂)m-SO₃H))-中，X為F或CF₃、n為0～5的整數、m為0～12的整數；其中，n與m不同時為0。

14.如權利要求1～13的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述C成分為選自由聚咪唑系化合物、聚苯并咪唑系化合物、聚苯并雙咪唑系化合物、聚苯并噁唑系化合物、聚噁唑系化合物、聚噻唑系化合物和聚苯并噻唑系化合物組成的組中的至少一種化合物。

15.如權利要求1～14的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述C成分為聚苯并咪唑系化合物。

16.如權利要求1～15的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述質子性溶劑為水與質子性有機溶劑的混合溶劑，該質子性有機溶劑的沸點為水的沸點以下。

17.如權利要求1～16的任一項所述的含有高分子電解質的溶液的制造方法，其中，所述溶液進一步含有具有硫醚基的化合物作為E成分。