[發明專利]一種有機電致發光器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310059130.8 | 申請日: | 2013-02-26 |
| 公開(公告)號: | CN104009175A | 公開(公告)日: | 2014-08-27 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;王平;黃輝 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州三環專利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝傳鑫;熊永強 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 有機 電致發光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發光器件,其特征在于,包括依次層疊的玻璃基底、陽極層、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,所述陽極層由依次層疊的含鉿化合物層、導電金屬單質層和鐠的氧化物層組成。
2.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述含鉿化合物層材質為二氧化鉿或二硼化鉿,所述含鉿化合物層厚度為20~100nm。
3.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述導電金屬單質層材質為銀、鋁、鉑或金,所述導電金屬單質層厚度為10~30nm。
4.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述鐠的氧化物層為二氧化鐠或三氧化二鐠,所述鐠的氧化物層厚度為1~10nm。
5.如權利要求1所述的有機電致發光器件,其特征在于,所述玻璃基底折射率為1.8~2.2,在400nm的光透過率為90%~96%。
6.一種有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,包括以下操作步驟:
提供相應的玻璃基底,清洗后干燥;
在玻璃基底出光面上制備陽極層,所述陽極層由依次層疊的含鉿化合物層、導電金屬單質層和鐠的氧化物層組成;
制備方法為:首先在玻璃基底出光面上采用電子束蒸鍍的方法制備所述含鉿化合物層,所述電子束蒸鍍的能量密度為10~l00W/cm2;
然后在含鉿化合物層上采用熱阻蒸鍍法依次制備所述導電金屬單質層和鐠的氧化物層,所述熱阻蒸鍍壓強為5×10-5~2×10-3Pa,蒸鍍速率為1~10nm/s;
在鐠的氧化物層上依次采用熱阻蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極,最終得到所述有機電致發光器件。
7.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述所述含鉿化合物層材質為二氧化鉿或二硼化鉿,所述含鉿化合物層厚度為20~100nm。
8.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述導電金屬單質層材質為銀、鋁、鉑或金,所述導電金屬單質層厚度為10~30nm。
9.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述鐠的氧化物層材質為二氧化鐠或三氧化二鐠,所述鐠的氧化物層厚度為1~10nm。
10.如權利要求6所述的有機電致發光器件的制備方法,其特征在于,所述空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和電子注入層的熱阻蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5×10-5~2×10-3Pa,蒸鍍速率為0.1~1nm/s,所述空穴注入層和陰極的熱阻蒸鍍條件均為:蒸鍍壓強為5×10-5~2×10-3Pa,蒸鍍速率為1~10nm/s。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





