[發(fā)明專利]離子產(chǎn)生裝置以及離子產(chǎn)生方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310059058.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104008950B | 公開(公告)日: | 2017-09-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張小強(qiáng);孫文劍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 株式會(huì)社島津制作所 |
| 主分類號(hào): | H01J49/16 | 分類號(hào): | H01J49/16;H01J49/06 |
| 代理公司: | 上海市華誠律師事務(wù)所31210 | 代理人: | 肖華 |
| 地址: | 日本京都府京都*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子 產(chǎn)生 裝置 以及 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及離子產(chǎn)生裝置以及離子產(chǎn)生方法。
背景技術(shù)
自從1984年John Fenn發(fā)明電噴霧技術(shù)(ESI)以來,由于電噴霧電離的低電離能量、易形成多電荷離子、易與液相色譜聯(lián)用等特性,已經(jīng)成為質(zhì)譜分析領(lǐng)域最常用的離子源。提高電噴霧離子源區(qū)域的靈敏度,成為該領(lǐng)域內(nèi)重要的課題。
目前對(duì)電噴霧質(zhì)譜靈敏度的限制因素,主要來源于以下幾個(gè)方面:其一是離子產(chǎn)生數(shù)較少。離子產(chǎn)生過程牽涉到噴霧液滴的形成、蒸發(fā)和庫侖爆炸的過程,該過程中可以通過調(diào)整電化學(xué)參數(shù)、表面張力、液滴半徑等來到較多的液滴累積電荷。然而,該過程中最重要的限制因素是能否充分將液滴去溶劑化而將氣態(tài)的離子“釋放”出來。其二是巨大的離子傳輸損失。目前幾乎所有商業(yè)儀器中的電噴霧都工作在大氣壓或者近大氣壓下,而質(zhì)譜分析器的工作都需要較高的真空度,所以需要一系列的真空接口和離子導(dǎo)引裝置使得電噴霧產(chǎn)生的離子可以進(jìn)入分析器。由于大氣壓真空接口(通常是毛細(xì)管或者取樣錐孔)必須保持很小的尺寸來維持后級(jí)真空(一般直徑小于1mm),帶來的結(jié)果是,超過90%的離子損失在了真空界面上。其三是嚴(yán)重的噪音干擾。電噴霧過程中的噪音比較復(fù)雜,除了由于實(shí)際樣品中鹽分、糖類等雜質(zhì)爭(zhēng)奪電荷帶來的基質(zhì)效應(yīng)之外,還有由未充分去除的溶劑分子、背景氣體雜質(zhì)等帶來的中性分子噪音,這一部分噪音會(huì)大大降低質(zhì)譜分析的靈敏度。
為了解決離子產(chǎn)生數(shù)少、去溶劑化不充分的問題,通常的方法是通入高流量、高溫度的霧化氣來幫助液滴的去溶劑化過程。比如美國專利US6759650、US8039795等,但是高流量的霧化氣會(huì)帶來較高的費(fèi)用,而高溫氣體還會(huì)引起一些易揮發(fā)溶劑的蒸發(fā)甚至沸騰。
為了解決真空界面上的離子損失,可以采用更小尺寸的針尖以減少噴霧區(qū)的面積,實(shí)際上就是降低噴霧時(shí)的液體流速,這樣可以提高進(jìn)入接口的離子比例,這就是所謂的納升噴霧的方法。還可以采用更大口徑的毛細(xì)管,但同時(shí)也對(duì)后級(jí)的真空泵提出了更高的要求。美國專利US6803565中提出了采用多根納升噴針和多根毛細(xì)管接口的方法,實(shí)際上是前兩種方法的結(jié)合。還有一種更有效的方法,就是直接在低氣壓下進(jìn)行電噴霧。美國專利US5838002、US6068749和US7671344中,都揭示了低氣壓下進(jìn)行電噴霧的裝置和方法,特別是US7671344中采用了離子接收口很大的離子導(dǎo)引裝置“離子漏斗”,可以使得絕大多數(shù)離子被傳輸、聚焦入下級(jí)真空。但是這種方法不能解決噪音問題,“離子漏斗”雖然提高了離子的傳輸效率,但是也提高了噪音的傳輸效率,而且由于低壓下缺少氣體分子碰撞,去溶劑化過程更加不充分,因此溶劑分子噪音的影響會(huì)更加嚴(yán)重,甚至可能完全淹沒待測(cè)分析物的質(zhì)譜信號(hào)。目前處理噪音的主要方法還是復(fù)雜的樣品前處理過程和色譜分離過程,不僅費(fèi)時(shí)費(fèi)力,而且在過程中還可能引入新的雜質(zhì)噪音。
為了降低電噴霧離子源的噪音,美國專利US6730904和US2011/0049357提出了離子偏軸傳輸?shù)膶?dǎo)引裝置,這些裝置將離子通過電場(chǎng)產(chǎn)生偏轉(zhuǎn),而中性分子沿直線路徑被真空泵抽出,以此實(shí)現(xiàn)離子偏軸傳輸,從而降低中性分子帶來的噪音。但這些裝置除了結(jié)構(gòu)上的復(fù)雜性之外,目前都只能應(yīng)用于大氣壓離子源接口,而不能用于低壓電噴霧接口,原因是這些傳輸裝置典型的工作氣壓都在3torr甚至0.1torr以下,而目前可形成穩(wěn)定、靈敏的電噴霧的氣壓都在10torr以上,因此離子在真空接口上的嚴(yán)重?fù)p失仍然存在。比如,對(duì)于US2011/0049357闡述的由兩個(gè)不同直徑(典型值為15mm和5mm)的層疊電極耦合在一起的裝置,如果要工作在10torr以上,為了保持后級(jí)系統(tǒng)的真空度(通常在10-3tor量級(jí)),較小尺寸的層疊電極直徑必須降低到2mm以下,否則會(huì)帶來巨大的真空泵負(fù)載。而在此尺寸下,離子很難克服大直徑的層疊電極和小直徑的層疊電極間的射頻勢(shì)壘,很難再實(shí)現(xiàn)有效的偏軸傳輸。
總之,目前還沒有一種較好的方法,可以同時(shí)解決這幾種限制電噴霧靈敏度的因素,從而得到較好的靈敏度響應(yīng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種離子產(chǎn)生裝置以及離子產(chǎn)生方法。該方法可以降低電噴霧離子在真空接口上的損失,同時(shí)又可以減少中性噪音的影響,以提高電噴霧離子源的靈敏度。
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